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脉冲功率技术在经过几十年的发展后,如今正处于从实验室走向应用、从国防科研走向工业的重要阶段,从技术角度讲正处于第五代技术突破——发展重复频率脉冲功率技术的阶段中。目前,重复频率的脉冲功率技术在军事技术、环境保护、生物医疗、工业加工等领域都有着重要应用,国内外对该领域的研究也日益重视,近年来涌现出许多可喜的研究成果。在该背景下,结合本研究组在研的一套新型全光等离子天线系统的设计需求,围绕高重频脉冲功率技术展开了一系列研究。本文基于两款不同的MOSFET开关,分别采用单向化脉冲子网络合成技术方案和单路低压高速MOSFET开关方案,设计了两款重复频率达400kHz的极高连续重频脉冲源,前者最高脉冲幅值为4500V,但较为复杂,后者结构相对简单,但由于受MOSFET开关的限制最高脉冲幅值仅为1200V。文中对两种方案的设计与实现的细节,以及技术创新突破点展开了详细的阐述与探讨,分别对两套方案进行了实验研究。采用变压器对前级已生成的脉冲进行升压是脉冲源设计的一条路径,在此领域中传输线变压器以其良好的频响特性和较好的脉冲波形保持性能而成为研究的热门。为此,本文对传输线变压器展开了详细的理论探讨,结合传输线等效电路提出了一种适用于高重频功率脉冲的改进电路模型,并基于此设计并实现了一款6阶传输线变压器,实验中将400kHz,600V的前级脉冲升压到近1800V,且输出波形无明显畸变,性能接近理想。为更高阶的传输线变压器设计打下了基础。同时还通过对传统脉冲变压器的分析与改进,设计出制作出一款新的脉冲变压器,变压器初次级线圈匝数比为1：15,实际实验中将400kHz,500V的前级脉冲升压到8000V,输出脉冲上升沿为100ns,升压比达到16。该指标(幅值8000V,连续重频400kHz)的脉冲源在国内尚属首例,在国际上也较为优秀(国际上同等级指标产品对我国技术禁运)。可以预见其在国防、基础研究和工业生产中都将有重要、广阔的应用前景。本文最后将该脉冲源作为基于介质阻挡放电(DBD)的真空紫外光(VUV)准分子灯的激励进行实验,该准分子灯在新型全光等离子天线系统中作为光激励源使用。实验中以准分子灯的反应釜作为DBD放电负载,成功实现了放电现象,初步证实了在研新型全光等离子天线系统DBD放电理论部分的正确性。