腔衰减对于原子隧穿相干控制的影响

来源 :大连理工大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:xinxi_2009
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隧穿效应和纠缠是区分量子世界和经典世界的两个特征。自从对于锥彤分子,其分子内的重新组合的量子隧穿效应1927年被证实以来,人们在研究隧穿效应上做了大量的工作。在一双势阱中,把原子的内部自由度和原子与腔的耦合加以考虑,这样的隧穿效应已经被预测。它已经展现出,隧穿效应过程由于与腔场的耦合作用而变化为准周期。隧穿运动的周期被拉比频率所修正。在纠缠方面,最近所作的工作已经预测了,起初两个无相互作用的纠缠原子在与两个彼此分开的环境相耦合时,两原子在一有限的时间里将变得不纠缠。这个现象被称作做ESD。现在表明把两个原子放入同一腔中,ESD已经被满足。 在这篇论文中采用原子被束缚在双势阱腔场中的模型。我们在系统中加入了腔衰减和原子自发辐射。此时隧穿表现出振幅衰减的准周期运动,同时会出现所谓的ESD现象。非共振情况下,在初始时刻平均位置的演化会出现一定的衰减。
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