作为一种先进的结构和功能陶瓷,Si₃N₄已经在各个领域展示出了广泛的应用,特别是随着材料向小尺度化的发展,纳米Si₃N₄陶瓷以其独特的力、电和光学性能将会在纳米器件上展现巨大的应用潜力,但目前由于各种原因,还很难通过实验对这类材料性能进行测试与评价,基于此,本文利用第一性原理对掺杂和吸附的Si₃N₄模型进行电子结构和光学性能模拟研究,利用分子动力学对Si₃N₄纳米线和薄膜进行力学行为模拟研究,为其进一步的应用提供理论基础。（1）利用第一性原理模拟了Al、Ga、As和P掺杂Si₃N₄体系的电子结构和光学性质,结果表明:Al和Ga掺杂后体系带隙分别为4.21和4.12e V,而As和P掺杂之后带隙减小,甚至消失,说明后两种元素掺杂对体系的带隙影响较大;掺杂后四种体系的形成能按照Al、Ga、P和As的顺序逐渐增加,说明Al掺杂体系比其他体系的结构更稳定;差分电荷密度图表明,P掺杂后周围的电子缺失增加,说明P与N成键的共价性有所提高,而As、Ga和Al掺杂后周围的电子缺失降低,表明其与N成键的共价性有所降低,并且Al掺杂时,原子附近的电子缺失几乎消失,电子云逐渐向N原子附近靠近,说明共价性向离子性转化的程度最高,掺杂元素与N原子成键的共价性强弱顺序为:P>As>Ga>Al,与计算的布居值相一致;掺杂体系静态介电常数随共价半径的增加先降低,后升高,其中As掺杂体系最低,且在低能区的介电损耗较小,有利于在光电材料上的应用。（2）利用第一性原理模拟了稀土元素（Yb、Gd、Sc、Sm、La和Lu）吸附氮化硅体系的电子结构和光学性能,稀土元素吸附成键后周围的电子缺失变弱,与N成键的离子性的增强,其中Yb,Gd和Sc原子附近还出现了不同程度的电子富集,说明电子云分布的不均匀性增加,与N成键共价性强弱顺序为Yb>Gd>Sc>Sm>（La,Lu）,和计算的布居值相一致;静态介电常数和介电损耗都随共价半径的增加先增大,后降低,最后趋于平缓,其中Sc吸附体系最低;[010]极化方向对总介电函数的贡献大于其他两个方向,说明吸附后体系都显示了一定的各向异性;780²500nm（0.496¹.59eV）近红外光区,La,Yb,Gd和Sc吸附体系的反射率较低,都小于6%,而Lu和Sm吸附体系可达20%,反射程度相对较高,对应折射率较低,说明光在前四种吸附体系中更容易传播;390⁷80nm（1.59³.18eV）可见光区,六种吸附体系都具有较低的吸收系数和反射率,说明吸附体系具有“透明型”性质;80³90nm（3.18¹5.5eV）紫外光区,吸附体系对光的吸收较强,呈现出“阻隔型”性质。（3）将第一性原理和分子动力学相结合,建立了[001]方向氮化硅纳米线模型,利用分子动力学模拟了氮化硅纳米线的压缩和拉伸力学行为,结果表明:在拉伸应力下,材料弹性极限独立于纳米线长径比,并大都发生在应变为0.05处,纳米线的断裂应力随长径比的升高而减少,同时在变形中产生大量的硅-硅键和团簇状氮原子缺陷;在压缩应力下,当应力达到最大值时,在纳米线下表面的中心部位和上表面的两个对称位置产生了新的四重硅原子缺陷,使应力开始下降。（4）利用分子动力学模拟了氮化硅纳米线在弯曲应力作用下的力学行为,结果表明:应力位移曲线由准弹性阶段和非线性阶段组成,随着长径比的增加（3:1、5:1和7:1）,材料断裂应力下降;在压头接触纳米线之后,弯曲应力随压头位移的增加而增大,当初始断裂出现时,弯曲应力急速下降;弯曲应力下,在上表面中心位置,可以观察到硅-硅键和配位数为2的氮原子缺陷,随压头位移的增加,氮的配位数逐渐转变为0和1,硅的配位数转变为6和7。（5）建立了基面氮化硅纳米薄膜,原子的数量分别为5600、7406和9464个,利用最快下降法进行弛豫,得到了稳定结构。利用分子动力学模拟了薄膜的拉伸行为,结果表明:在拉伸加载过程中,当应变小于0.06时,薄膜展示了非线性应力应变关系;在0.06-0.09应变范围内,薄膜展示了线性应力应变关系;超过0.09时,又变成非线性应力应变关系,直到最后的断裂。断裂应力、应变随薄膜边长的增加而增加,杨氏模量变化不大,y方向的断裂应力大于x方向的断裂应力,拉伸过程中的断裂源来自N6h-Si键。随着应变速率的增加,初始N6h-Si断键缺陷出现的位置和应变点是相同的,是不依赖于应变速率的,当应变速率增加到5.3×109s-1时薄膜两部分完全分离的应变数值降到0.113,其原因是由于在N6h-Si键的断键缺陷扩展过程中出现了N2c-Si键的断键缺陷,加速了薄膜裂纹的扩展过程。随着拉伸温度的升高,最大拉伸应力先升高后降低,对应的拉伸应变逐渐降低。