GaN作为新一代半导体材料,具有禁带宽度大、热导率高、载流子迁移率高、发光效率高等优点,是理想的短波长LED器件的制备材料。GaN基LED器件凭借节能环保、响应速度快、体积小、效率高等特点,已广泛应用于固态照明、背光源等领域。但GaN基LED的发展仍面临许多难题,例如效率下降现象:在大电流工作条件下,LED器件的发光效率出现下降的现象。至于效率下降现象的原因,至今仍未有定论。许多学者对此现象进行研究,提出了以下几种可能来解释效率下降现象:电子泄露、载流子注入效率低、Auger复合、结温等。抑制效率下降现象一直是改善GaN基LED器件性能的关键问题之一。在本文中,首先,介绍了发光二极管的发展及其国内外的研究现状和研究意义;其次,简要介绍了氮化镓材料的基本特性,电子阻挡层和多量子阱结构,并理解了效率下降现象;然后,对模拟用APSYS软件作简要介绍,并详细阐述了其数值模拟基本模型与理论;最后,给出了数值模拟数据以及所提出的InGaN/AlGaN/GaN多量子阱电子阻挡层结构。通过数据分析,所提出的InGaN/AlGaN/GaN多量子阱电子阻挡层能够有效的提高器件的光学性能和电学性能。模拟的电子阻挡层获得了更大的势垒高度,使其更有效的限制电子的泄露,同时,多量子阱主动区内的电子与空穴浓度有所提升,且分布更加均匀。相对于传统LED结构,我们所提LED结构的输出功率和内量子效率分别提高了12.7%和12.3%,此外,效率下降由37.1%降至31.1%,最大内量子效率由0.817升至0.838。InGaN/AlGaN/GaN多量子阱电子阻挡层的应用,使得模拟用LED器件的光输出功率、内量子效率和势垒高度都有了很大的提高,证明了此电子阻挡层能够有效的抑制效率下降现象。