目的通过近红外光谱技术实时无创监测重型颅脑损伤术后局部脑氧饱和度,探讨局部脑氧饱和度的变化规律以及与颅内压（ICP）之间的相关性。方法选择自2015年7月至2016年11月安徽医科大学附属安庆医院24例重度颅脑损伤急诊术后患者,采用近红外光谱与有创颅内压监测仪持续监测局部脑氧饱和度（rScO₂）、颅内压（ICP）,同时使用多参数心电监护仪监测记录脉氧饱和度（Sp O₂）、平均动脉压（MAP）、脑灌注压（CPP）,采用SPSS统计学分析监测结果的关联性。结果重度颅脑损伤预后程度和rScO₂有统计学意义,预后越好的组其rScO₂值越高,术后rScO₂早期会出现下降,最后随颅内高压缓解后再次呈上升趋势。但4例死亡患者伤rScO₂主要呈下降趋势,上升不明显。rScO₂与ICP呈显著负相关（r=-0.882,P<0.001）,rScO₂与CPP呈显著正相关（r=0.938,P<0.001）。MAP与rScO₂、ICP、CPP的线性相关无统计学意义（P>0.05）,P值分别为0.173、0.135、0.171。在重型颅脑损伤患者治疗过程中,MAP、Sp O₂基本维持在正常范围内,只有在患者处于濒死状态时进行性降低。结论尽管目前临床上颅内监测方法以有创颅内压监护为主,但其价格昂贵,有导致颅内感染、出血甚至死亡的危险。而近红外光谱技术具有无创、方便及精确等特点,可以准确无创监测脑组织局部脑氧饱和度,rScO₂对缺氧特别敏感,能及时反映重度颅脑损伤术后脑缺血缺氧等代谢情况,可以作为一种判断重型颅脑损伤病情变化的指标。通过近红外光谱技术了解脑内氧代谢水平,对于重型颅脑损伤治疗及预后评估有着重要意义。