本文对采用磁控溅射制备TbFeCo薄膜的工艺进行了详细研究，制备了TbFeCo系列薄膜，分析了TbFeCo薄膜的生长机理。首先利用XRD、EDAX对样品结构进行了表征，结果表明Tb的溅射率相对较高，薄膜中Tb原子含量超过靶中Tb原子的含量。用AFM、SEM对样品的表面进行观察。结果表明，溅射时间、溅射功率和工作气压是改善磁控溅射成膜的关键。其次采用椭圆偏振光谱仪研究了所制备TbFeCo薄膜的光学性质，研究了Ag保护层厚度对薄膜光学性质的影响，结果表明，该磁光薄膜对红外光有较大的吸收，对紫外光吸收较小；测量结果与Drude模型是相吻合的；同时把有无保护层的两种薄膜的光谱进行了比较，结果表明，有保护层的磁光薄膜Ag／TbFeCo／Si的光谱更接近于保护层的光谱；原因是Ag的反射率很高，其透射率相对较低，因此到达第二层介质TbFeCo的光较少。最后利用磁光克尔系统和VSM测量了样品TbFeCo／Si和Ag／TbFeCo／Si的Kerr效应、磁性，测量结果表明TbFeCo／Si和Ag／TbFeCo／Si都呈现出面内磁化。