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近年来,抗生素、抗性细菌（Antibiotic resistance bacteria,ARB）和抗生素抗性基因（Antibiotic resistance genes,ARGs）等新兴污染物带来的环境问题日益严重,但是传统水处理技术对此类污染物去除效果有限,因此需要探索更为有效的去除手段以减少此类新兴污染物带来的环境危害。本文主要研究对象为典型的喹诺酮类抗生素诺氟沙星（Norfloxacin,NOR）,多重耐药细菌抗性E.coli HB101及其抗性基因。探究了放电等离子体技术对NOR、抗性E.coli HB101及其抗性基因的去除效果。本文共搭建、调试了一套RFD和GDP水处理系统,为可能的减少生物实验中所产生的误差,本文选择使用更为稳定的GDP放电装置去除高电导率水体中的抗性E.coli HB101及其抗生素抗性基因,使用RFD技术去除低电导率水体中的NOR。利用射频放电（Radio frequency discharge,RFD）降解水中诺氟沙星（Norfloxacin,NOR）,放电120 min后,NOR（C0=0.1 mM）的降解率为68%。当NOR浓度小于1 mM时,NOR的降解率随着其初始浓度的增加而升高。当溶液pH=2时,射频放电处理60 min后NOR的降解率可达到82%。实验发现,RFD/Fenton能够明显提高NOR的降解率,放电60 min后NOR的降解率达到99%,该降解方法使NOR的矿化程度也明显提高,使用RFD/Fenton降解NOR的能量效率高于臭氧处理等常规高级氧化技术。利用直流辉光放电等离子体技术（Glow discharger plasma,GDP）处理水中抗性E.coli HB101及其抗性基因,实验结果表明,GDP可有效降解抗性E.coli HB101及其抗性基因,并同时降低了抗性基因的转移能力。放电15 min后,抗性E.coli内16S rRNA降低了4.7 log（Copies/μL）,通过PMA-qPCR实验数据可知,放电过程中大部分抗性E.coli细胞结构遭到破坏。放电30 min后抗性基因tetA,tetR,aphA和转座子tnpA基因丰度分别减少5.8、5.4、5.3和5.5 log（Copies/μL）。利用GDP处理实际水体中ARGs,放电30 min后,ARGs的总丰度下降了3.9 log（Copies/μL）。本研究探索了可能的降解机理,认为羟基自由基（·OH）是导致抗性E.coli失活和ARGs降解的主要活性物质,放电过程中形成的活性氯（Cl·和Cl2）物质可能对ARB和ARGs的去除起促进作用。