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本文采用直流反应磁控溅射法金属镶嵌靶In／Mo和In／W制备高价态差掺钼氧化铟(In203：Mo，IMO)和掺钨氧化铟(IN203：W，IWO)透明导电薄膜，研究了氧分压、溅射电流、基板温度等制备条件参数对IMO和IWO的薄膜结构、电学和光学性能的影响；利用XRD、AFM、XPS等分析手段对薄膜进行表征与分析：制备了结晶性良好、载流子迁移率高的IMO和IWO薄膜。
直流反应磁控溅射技术制备的IMO透明导电薄膜为多晶的方铁锰矿结构；改善了由反应热蒸发法制备的IMO薄膜的结晶性。建立了直流磁控溅射法制备具有良好光电特性的IMO薄膜的条件；获得的IMO薄膜的最低电阻率为3·7.7×10-4fi．em，最高载流子迁移率为50cm2V-ls-1，在可见光区(400-700nm)的平均透射率可高达89％。研究表明，氧分压对制备薄膜的光电特性有很大影响，薄膜中的自由载流子主要由氧空位和掺杂离子提供，薄膜的光学禁带宽度(3．81-3．85eV)变宽主要是由Burstein-Moss效应确定。
首次采用直流磁控溅射法制备了高迁移率IWO薄膜。在IWO薄膜中，W原子替代了In203晶格中的In原子的位置，既没有形成新的化合物，也没有改变In203的方铁锰矿晶格结构。所制备的IWO薄膜的最佳电阻率为2．7x10-4f1．cm，最高载流子迁移率为57cm2V-Is～，可见光透射率大于90％，光学禁带宽度大于3．9eV，其光电性能指标均优于在相同制备条件下制备的未掺杂的In203薄膜。研究表明，IWO多晶薄膜(222)和(400)衍射峰强度比值与氧分压、掺杂含量、衬底温度以及溅射电流等制备条件参数密切相关。
本文还研究在室温采用直流反应磁控溅射法制备IMO薄膜，探索室温制备IMO薄膜的条件参数。普通玻璃基板上制备的IMO薄膜为非晶结构。该薄膜具有良好的光电性能，最佳电阻率为5．9x104f~．cm，载流子迁移率为20．2cmW"s-1可见光透射率大于90％。研究表明，氧分压对室温制备的薄膜的载流子浓度有很大的影响，因此薄膜的电阻率和透射率对其很敏感。AFM分析表明，室温制备的IMO薄膜表面颗粒细小均匀，方均根粗糙度仅为0．8nm，为研究开发IMO薄膜在柔性基板上的制备技术建立了良好的基础。