利用模板辅助对ZnO微纳结构的大小、形貌、结构和排布等进行控制,在ZnO微纳器件制备及应用方面具有重要意义。在本文中,我们首先采用低温液相水热法,在预修饰了磁控溅射制备的籽晶层的衬底上,成功制备了大密度且高度取向的ZnO纳米棒阵列,首次对籽晶层制备时的磁控溅射参数对ZnO纳米棒形貌的影响进行了探讨。通过调节前驱体溶液浓度、加入柠檬酸钠或聚乙醇胺,制得了不同形貌、不同长径比的取向ZnO纳米棒/塔/线阵列。在此基础上,通过在籽晶层上覆盖光刻胶层做为模板, ZnO微纳结构的在衬底上的空间分布控制得以实现,在调整生长参数后,得到了周期性排列的ZnO纳米棒/管/线/环状阵列。更为重要的是,通过将生长过程分为两步,并使用柠檬酸钠和聚乙醇胺这两种作用相反的辅助剂,在光刻胶模板微孔的限制下实现了籽晶层多晶晶种的融合,首次在多晶衬底上以传统光刻技术精确控制了单个ZnO晶体的生长位置,并将控制单个ZnO棒晶的模板尺寸由文献普遍报道的100nm左右拓展至微米量级。提出了模板限制与辅助剂修饰双重作用下的生长机理,在模板微孔的作用下,相同水热生长条件下制得的纳米柱增粗至了光刻胶微孔粗细,制备的一维棒晶的直径和长度均可控制。最后,通过使用自组装聚苯乙烯胶体晶体做模板,我们发展了一种采用磁控溅射技术制备面积达到厘米尺寸的ZnO纳米碗阵列薄膜的方法。通过改变聚苯乙烯微球直径及磁控溅射时间,制备的纳米碗尺寸及纳米碗阵列薄膜的厚度均可调整。