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该文主要研究了EDI对高纯水中硅、硼的脱除方法,并探讨了EDI对硅、硼的脱除机理.主要做了以下四方面的工作:EDI膜堆电阻的研究;EDI脱除硅的研究;EDI脱除硼的研究;EDI脱除硅、硼的机理探讨.EDI膜堆电阻的研究,主要研究了EDI的各个运行参数对EDI膜堆电阻的影响.通过实验得出降低EDI膜堆电阻的最佳条件,为EDI脱除硅、硼的研究提供依据.实验得出降低EDI膜对电阻的最佳条件:电压40~60V,电流3~5A;浓室进水电导一般在150μS/cm以上;浓室流量0.08L/Min;淡室流量1.2 L/Min.EDI脱除硅的研究,主要研究了EDI对高纯水中硅的脱除方法.通过对电压、进水电导(淡室、浓室)、流量(淡室、浓室、极室)、pH值等因素的研究,得出EDI的最佳脱硅条件:在进水硅浓度较高的条件下,最佳操作电压为55V,在进水硅浓度较低的条件下,最佳电压为38V;淡室进水电导在40μS/cm以下;浓室进水电导在200μS/cm左右时,加药泵流量为0.65 L/h;在允许范围内,淡室、浓室和极室流量均取最小值;pH值在7~8之间.进水硅浓度1mg/L,实验最佳出水硅为2.66μg/L,为目前国内最好水平.EDI脱除硼的研究,主要研究了EDI对硼的脱除方法.通过对电压、进水电导(淡室、浓室)、流量(淡室、浓室、极室)、pH值等因素的研究,得出EDI最佳的脱硼条件:电压在38V左右;淡室进水电导在40μS/cm以下;浓室进水电导在350μS/cm左右;在允许的条件下,淡室、浓室和极室流量均取最小值;pH值在5~8之间.进水硼浓度0.05mg/L,实验的最佳出水中硼含量为0.88μg/L.另外,该文还从水中硅、硼的离子化、树脂吸附和电场迁移三个方面探讨了EDI脱除硅、硼的机理.