高k氧化物作为一种性能优良的新型介电层材料,在电子器件中应用广泛。氧化铝（Al2O3）薄膜和二氧化铪（Hf O2）薄膜具有很高的k值、较好的化学稳定性、热稳定性以及较大的禁带宽度,是十分有潜力的高k材料。制备这两种薄膜的方法,目前主要是原子层沉积和化学气相沉积等工艺,这些方法生长的薄膜质量较高,但是需要真空环境和昂贵的设备。本文使用化学液相沉积法制备氧化物薄膜,化学液相沉积法是一种工艺简单、成本低廉、通过自组织的方式在衬底上生长薄膜的制备方法,这种方法目前来说研究较少,是一个很新的领域。本文使用化学液相沉积法制备Al2O3薄膜,并将其应用在Mini-LED器件中,作为钝化层和侧壁保护层。研制出新型Hf O2生长液,并首次成功在磷化铟等衬底上生长出Hf O2薄膜。首先,我们通过化学液相沉积法制备了Al2O3薄膜,对其在200-600℃下进行退火处理,分析退火温度对薄膜微观结构、化学组分、光学、电学性能的影响。得到的薄膜致密平整、无明显的孔洞和裂纹,1000℃下退火,得到晶态α-Al2O3。经过退火处理后的薄膜在390-760 nm范围内的透过率均在95%以上。600℃下处理的薄膜在1 MV/cm时的漏电流为4.38×10-8A/cm~2,k为6.9。以上这些性能测试结果,证明化学液相沉积法制备的Al2O3薄膜的性能较好,可以应用在多种电子器件中。我们使用化学液相沉积法在Mini-LED器件上制备Al2O3薄膜作为钝化层和侧壁保护层。使用非腐蚀法将图案化的Al2O3薄膜直接制备在Mini-LED器件上,测试得到结果与商用芯片在光学和电学方面的性能基本相当。最后,通过对化学液相沉积法制备Al2O3薄膜的生长机理分析和总结,以此为基础设计、制定了实验方案使用化学液相沉积法生长Hf O2薄膜,提出一种全新的Hf O2生长液,并成功在磷化铟衬底上生长出连续致密的Hf O2薄膜;通过对衬底表面处理,成功在硅、氮化镓等无法直接生长薄膜的衬底上制备Hf O2薄膜。在300-600℃下对薄膜进行退火处理,分析退火温度对Hf O2薄膜的化学组分、微观结构以及性能的影响。由薄膜的XPS结果证明,退火温度的增加可以使得薄膜中的缺陷氧含量降低,金属氧含量增加。600℃处理后的薄膜在2 MV/cm时漏电流为2.27×10-11A/cm~2,k为19.1。