本文给出了一种新型结构的SiC MOSFET——6H-SiC异质结源漏MOSFET。6H-SiC异质结源漏MOSFET用多晶硅/SiC接触代替了重掺杂的pn结来做MOSFET的源漏区。这种器件结构制备工艺简单,避免了长期困扰常规SiC MOSFET的离子注入工艺难度大、退火温度高、晶格损伤大、注入激活率低等问题。论文给出了6H-SiC异质结源漏MOSFET的基本结构及模型,并分析了其电流输运机制。通过器件模拟软件ISE TCAD模拟了6H-SiC异质结源漏MOSFET的基本伏安特性,并和先前的研究成果进行了比较,分析了不同氧化时间、源漏区不同掺杂、栅长、衬底掺杂浓度和其它因素对6H-SiC异质结源漏MOSFET伏安特性的影响。根据研究的成果,我们提出了一种新的SiC欧姆接触工艺——多晶硅/SiC异质结接触形成欧姆接触,研究表明n+多晶硅/N+SiC异质结接触可以形成良好的欧姆接触,具有工艺简单,性能优良的优点。对6H-SiC异质结源漏MOSFET和欧姆接触进行了版图和工艺设计,讨论了结构的改进和制备中关键工艺的选择,初步摸索了一套制造6H-SiC异质结源漏MOSFET和欧姆接触的制造工艺过程和工艺条件,并进行了投片。本文对6H-SiC异质结源漏MOSFET的器件特性、模型和模拟以及研制等开拓性工作为这种新结构器件的研究发展奠定了基础。