随着人工智能的快速发展以及5G元年的到来,互联网市场对存储设备的性能要求也越来越高。阻变存储器（RRAM）是存储器发展的一个重要方向,性能优异且在集成到生产方面具有巨大优势。阻变存储器件的阻变现象主要由导电细丝的形成和断裂控制,而导电细丝是由材料自身分解、电极材料扩散形成的金属离子或者O空位缺陷形成的。其中ZnO被誉为最有潜力的阻变存储器材料。本文通过构建O空位缺陷以及Zn空位缺陷两种缺陷态,采用密度泛函理论（DFT）的第一性原理计算方法,对不同配位数以及不同浓度条件下的氧化锌阻变存储器中的阻变层的能带结构进行研究。首先,建立ZnO晶胞在四配位、三配位以及二配位下的O空位与Zn空位缺陷模型以及空位浓度分别为12.5%、5.56%与4.17%的O空位与Zn空位缺陷模型。其次,对不同配位下的O空位与Zn空位缺陷对ZnO的能带结构、态密度（DOS）、几何优化过程以及能量变化的影响进行了分析。研究得到不同配位空位缺陷下的DOS价带峰值均向费米能级移动。其中,三配位Zn空位缺陷比O空位缺陷更易使ZnO体系产生空穴,并且三配位数Zn空位缺陷下ZnO晶胞DOS峰值增加幅度最大,电子局域化程度增加。从而在三配位空位缺陷的基础上探究不同浓度下的空位缺陷对ZnO能态结构的影响。然后,研究不同浓度下三配位数O空位与Zn空位缺陷对ZnO的能带结构、DOS、几何优化过程以及能量变化的影响。发现三配位数Zn原子与O原子空位缺陷浓度由4.17%、5.56%增长至12.5%,ZnO体系与Zn原子的总态密度（TDOS）与分波态密度（PDOS）的峰值均呈下降趋势,其中由Zn的3d态轨道起到主要贡献作用。同时得到浓度为5.56%的三配位空位缺陷情况下的TDOS峰值最小,不受缺陷浓度增加而线性变化。研究表明,三配位数下空位缺陷对ZnO带隙值有显著的影响,当三配位下空位浓度为5.56%时最易形成空位缺陷,离子数目增加,有利于形成导电细丝连接上下电极,实现高、低阻态的切换,从而提高ZnO阻变存储器的性能。本论文研究结果为ZnO阻变存储器的性能提升提供一定理论指导。