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随着石墨烯的出现以及电子器件尺寸的减小,二维纳米材料越来越受到人们的广泛关注,新材料不断涌现。最近,利用具有层状结构的三维硒化铟材料,曼彻斯特大学和诺丁汉大学的研究人员们在实验室制作了单层的二维硒化铟。这一被誉为“石墨烯和硅的黄金分割点”的原子级厚度材料,被预计将因其特殊的物理性质而进一步使二维材料这个大家族更加丰富多彩。本文基于密度泛函理论的第一性原理计算,研究了砷原子掺杂对单层二维硒化铟材料电子特性和磁性的调制。我们发现通过掺杂砷原子,可以使原本为无磁性半导体的单层硒化铟显现出磁性、金属、半金属