近年来,随着高密度硬盘技术的发展,垂直磁记录薄膜材料的制备、结构、性能和应用已经成为国际上新型材料研究的一个热点。由于垂直磁记录薄膜材料具有记录密度高、高速、热稳定性强、机械耐磨性好等特点,可广泛应用于垂直磁记录、热辅助垂直磁记录和磁光记录等方面,因而受到广泛的关注。CoFe₂O₄薄膜材料是目前研究较多的一类垂直磁记录材料,它具有较高的矫顽力、磁化强度和磁晶各向异性,是应用于垂直磁记录硬盘的首选材料之一。本论文系统地研究了CoFe₂O₄薄膜的制备工艺、微结构以及性能;此外,还研究了应用于热辅助垂直磁记录的Co_0.7Fe_2.3-xMn_xO₄靶材配方和制备工艺,并对Co_0.7Fe_1.7Mn_0.6O₄薄膜的制备工艺和性能进行了探索性研究。在CoFe₂O₄薄膜的研究中,采用射频磁控溅射法在7mm×7mm的Si（100）基片上制备了CoFe₂O₄薄膜,并对薄膜进行了热处理。通过实验得出的优化工艺条件为:基片温度350℃,溅射气压1.0Pa,溅射功率120W,薄膜厚度100nm,退火温度700℃、退火升温速率2.5℃/min、保温时间3h。通过对薄膜AFM和XRD的分析以及性能测试,结果表明:所制备的薄膜具有良好的磁性能和垂直各向异性,在优化条件下其水平方向矫顽力为3.18kOe,垂直方向矫顽力为11.76kOe、饱和磁化强度为210.61emu/cm³。同时还得到了薄膜制备制备工艺参数对薄膜微结构和性能影响的一些规律。在Co_0.7Fe_2.3-xMn_xO₄靶材和薄膜的研究中,找到合适的靶材配方为x=0.6时的Co_0.7Fe_1.7Mn_0.6O₄,此时的居里温度为335.8℃。制备该配方靶材时,经过预烧后在1250℃的靶材质量最优。随后,初步探索出了Co_0.7Fe_1.7Mn_0.6O₄薄膜较好工艺参数,即背底真空5×10-4Pa、基片温度450℃、溅射气压1.0Pa、O2/（Ar+ O2）=10%、溅射功率100W,退火温度900℃,升温速率2.5℃/min、保温时间3h。该工艺参数下Co_0.7Fe_1.7Mn_0.6O₄薄膜的垂直方向矫顽力为1.24kOe,平行方向矫顽力为0.79kOe。实验证实了利用该种靶材制备出热辅助垂直磁记录薄膜的可能。