【摘 要】
：
该文研究了GeSi双层量子点的耦合效应,从理论和实验上对用分子束外延(MBE)自组织方式生长的Si基Ge双层量子点的深能级瞬态谱(DLTS)、导纳谱(Admittance Spectroscopy)进行了
论文部分内容阅读
该文研究了GeSi双层量子点的耦合效应,从理论和实验上对用分子束外延(MBE)自组织方式生长的Si基Ge双层量子点的深能级瞬态谱(DLTS)、导纳谱(Admittance Spectroscopy)进行了系统的分析,对三块不同间隔层的双层量子点样品进行电学测试,通过它们不同的电学行为,研究了双层量子点耦合效应跟间隔层厚度的关系.1.用DLTS方法研究了双层Ge量子点中载流子的俘获过程,改变脉冲宽度,通过比较三块不同样品的DLTS谱,我们可以很清楚地看到,随着双层量子点间间隔层厚度的增大,两层量子点间的耦合作用相应地减小了.当间隔层厚度为4.5nm时,两层量子点强烈耦合成单层量子点;当间隔层厚度为6.0nm时,耦合效应减小,但在两层之间出现了隧穿效应;当间隔层厚度增大为7.5nm时,耦合效应几乎可以忽略.2.用导纳谱的方法研究了双层Ge量子点的能级结构及库仑荷电效应.通过改变不同的反向偏压,利用不同的测试频率可得出量子点中相应的空穴的激活能.并跟DLTS所得到的结果进行比较,得到了样品的更加完整的能级结构,证明了前面所得到的有关双层量子点耦合效应跟间隔层厚度的关系这一结论.通过研究单频法和多频法的区别,指出俘获截面跟频率的相关性.
其他文献
随着光电子器件技术的飞速发展，波分复用光传输系统通过光节点设备连接构成的全光网络是未来通信网络的发展方向。信号流的传输和交换始终以光的形式进行，无需光／电、电／光转换。
该文主要研究了快速分子离子和离子团与固体材料的相互作用机理,建立了一个自洽的模型模拟了离子团的库仑爆炸和多重散射过程.采用线性介电响应理论求出离子团组成离子之间的
本文综述了经典磁畴动力学,包括相关磁学的基本概念、静态磁化过程、动态磁化过程及相关损耗,并综合以上各种因素,推导了经典情况下铁磁体畴壁运动的动力学方程,并就外加谐变
量子理论和相对论是在二十世纪初被人们建立起来的，它最初被建立的目的是解释一些物理现象或难题，例如黑体光谱、原子和原子核结构以及运动物体的电动力学等，而量子信息是量子理
作者首次在国内开展了13nm Mo/Si多层膜残余应力的研究工作.首先从材料在极紫外、软X射线波段的光学特性出发,讨论了极紫外、软X射线在理想和非理想多层膜系中的反射特性;研
碲化铋是V-VI族元素化合物半导体,因为其良好的热电效应而受到广泛关注,更因其三维拓扑绝缘体结构而引发了新一轮的研究热潮。由于三维拓扑绝缘体的表面态中电子自旋-轨道耦
该文对偶氮苯聚合物材料的研究主要分为两部分.第一部分内容对偶氮苯聚合物材料光致光栅结构的形成机制提出了一个新的模型.以分子取向光栅结构为框架,提出了以分子相互作用
共轭聚合物具有许多优于无机材料的性质，在电子信息领域有着巨大的应用前景。近年来人们发现了一些共轭聚合物呈现新奇的铁磁有序特性，目前以共轭聚合物、富勒烯、石墨烯基为代
本硕士论文分析了铝诱导多晶硅薄膜制备的发展历程，对铝诱导多晶硅薄膜的制备和表征进行了具体研究。通过改进工艺条件和制备参数（衬底材料，镀膜衬底材料温度、镀膜时间及B掺杂），