GaN材料及器件近年来成为研究的热点，尤其是GaN发光二极管（LED）。这主要是因为GaN蓝绿光LED产品的出现从根本上解决了白光发光二极管三基色缺色的问题。GaN蓝、绿光LED具有体积小、冷光源、响应时间短、发光效率高、防爆、节能、使用寿命长（使用寿命可达10万小时以上）等特点。因此GaN发光二极管在大屏幕彩色显示、车辆及交通、多媒体显像、LCD背光源、光纤通讯等领域大有用武之地。本论文重点研究了GaN-LED制作中的感应耦合等离子体刻蚀以及p型欧姆接触电极的制作，并得出了以下结果： 使用国产的ICP-98C感应耦合等离子刻蚀设备，利用Cl基气体对GaN材料进行刻蚀，结果显示Cl₂／He刻蚀的效果要好于Cl₂／Ar。两者刻蚀GaN的速率相差不大，但对于刻蚀后的表面粗糙度而言，前者刻蚀后的表面粗糙度要远小于后者。当ICP功率=500W，直流自偏压=180V，Cl₂／He=32sccm／8sccm时，刻蚀后材料表面粗糙度RMS=0.36nm。而相同条件下，用Ar取代He，表面粗糙度RMS=3.84nm。刻蚀的好坏对N型欧姆接触电极的优劣具有非常大的影响，论文比较了Cl₂／He和Cl₂／Ar相同条件下刻蚀，然后制作的电极的I-V特性。经计算，前者刻蚀后制作的电极的接触电阻率要比后者的小一个数量级。论文然后以Cl₂／He为刻蚀气体，研究了ICP功率、直流自偏压、气体总流量、气体比例对刻蚀速率及刻蚀后表面粗糙度的影响。 采用Ni／Au作为p型欧姆接触电极。经实验得出，500℃是退火的最佳温度。Ni（10nm）／Au（10nm）是适合GaN发光管P型电极的最佳厚度。当金属层厚度变大，接触电阻率下降，但透光率也随之下降；当金属层厚度变小，透光率提高，但接触电阻率随之上升。在p-GaN上电子束蒸发镀Ni（10nm）／Au（10nm），经氧气中500℃退火后，接触电阻率为4.7×10^-5Ω·cm²，透光率为75％。 采用Ti／Al／Ni／Au作为n型欧姆接触电极，厚度分别为20nm／20nm／20nm／