P型欧姆接触相关论文
对4H-SiC雪崩光电探测器的Ti/Al/Au p型欧姆接触进行了详细的研究。通过线性传输线模型(LTLM)测得经930℃退火后欧姆接触的最小比......
对4H—SiC雪崩光电探测器的Ti／Al／AuP型欧姆接触进行了详细的研究。通过线性传输线模型（LTLM）测得经930℃退火后欧姆接触的最小比接触......
报道了大功率高亮度InGaAIP红光LED芯片的设计和工艺制备，实验芯片采用环形插指状电极。和传统的LED芯片相比较，环形插指状电极LED芯......
在以Be作为离子源离子注入形成的P型GaAs衬底上分别使用Ti／Pt／Au和Cr／Pt／Au多层金属作为欧姆接触金属，并对比合金前后的差别。结果表明，......
高性能的紫外光电探测器是紫外探测技术中的核心技术,在军事和民用等领域有着广泛的应用。4H-SiC材料由于其物理性能突出,禁带宽度......
紫外微弱光信号和单光子信号的探测主要应用于激光诱导荧光性生物报警系统、非线性光线隐蔽通讯、非破坏性物质分析、高能物理、光......
本文主要介绍一种新型的改善GaN材料p型欧姆接触特性的方法，即采用电子束蒸发技术在InGaN层上沉积一层ITO薄膜，然后通过感应耦合等离......
ZnO是一种新型的宽禁带氧化物半导体材料,具有直接带隙能带结构,室温禁带宽度为3.37 eV,对应近紫外光波段。同时,ZnO具有高达60 me......
报道了大功率高亮度InGaAlP红光LED芯片的设计和工艺制备,实验芯片采用环形插指状电极。和传统的LED芯片相比较,环形插指状电极LED......
GaN材料及器件近年来成为研究的热点，尤其是GaN发光二极管（LED）。这主要是因为GaN蓝绿光LED产品的出现从根本上解决了白光发光二极管......
宽禁带Ⅲ-Ⅴ族GaN基半导体材料在发光二极管、激光器、光电探测器以及高温、高频和大功率电子器件等方面有着诱人的应用前景和巨大......
碳化硅以其优良的材料特性在大功率、高温以及抗辐照等领域有着广阔的研究和商业前景。作为一种重要的功率器件，4H-SiC双极型晶体管......
