近三十年来，移动通信、卫星通信、全球卫星定位系统(GPS)等现代通信业得到了飞速发展，这种快速发展极大的带动了微波电路中电容器、谐振器以及滤波器等电子元器件的需求。这些元器件正向着体积小、质量轻、性能稳定、价格便宜等方向发展，相应地制备这些元器件的介质陶瓷趋向于低损耗、温度稳定性好、频率稳定性好、低温烧结等方向发展。Bi基焦緑石介质陶瓷展现出烧结温度低、介电常数高、介电损耗低和介电常数温度系数可调等特征，是在制备Ⅰ类陶瓷电容器方面具有发展前景的介电材料。　　本论文以立方相Bi基焦緑石Bi1.5MgNb1.5O7(BMN)为研究对象，以传统的固相反应法制备，运用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、阻抗分析仪等测试方法，对BMN陶瓷的制备工艺、离子取代和烧结助剂掺杂等方面进行了研究。　　研究了不同预烧温度对BMN陶瓷粉体物相组成和显微形貌的影响，发现在850℃时基本上合成出了单一的立方焦緑石晶相。粉体分散均匀，因此选择最佳预烧温度为850℃。研究了不同烧结温度对BMN陶瓷的密度、收缩率、显微结构和介电性能的影响，随着温度升高晶粒生长不断完善，陶瓷密度提高，介电性能优化，但超过一定温度后密度下降、性能恶化。1050℃下烧结的陶瓷各方面性能最佳。研究了不同保温时间对BMN陶瓷的密度、收缩率、显微结构和介电性能的影响，适宜的保温时间有利于晶粒的生长、结构的致密化和介电性能的提高，但保温时间过长则产生不利影响，1050℃下烧结6h为最佳保温时间，密度为6.648g/cm3，介电常数达到约170.6，介电损耗约为6.1×10-4，介电常数温度系数为-390ppm/℃。　　采用Eu3+取代BMN中A位Bi3+制备出Bi(1.5-x)EuxMgNb1.5O7(x=0.1，0.2，0.3，0.4，0.5，0.6)陶瓷。结果表明，在Eu3+取代量(x)≤0.5时，随着取代量(x)增加陶瓷物相均保持单一的立方焦緑石相，介电常数和介电损耗均降低，介电常数温度系数显著优化。超过0.5时则产生了第二相EuNbO4，恶化了介电性能。在x=0.5时介电常数为96，介电损耗为3.8×10-4，介电常数温度系数变成-12ppm/℃。Nd3+取代BMN中A位Bi3+制备出的Bi(1.5-x)NdxMgNb1.5O7陶瓷随着Nd3+取代量(x)的增加结构和性能发生了显著地变化。在取代量(x)≤0.5的范围内，随着Nd3+含量的增加晶胞逐渐收缩，晶粒尺寸有所减小，介电常数和介电损耗均减小，介电常数温度系数明显提升，在x=0.5时展现出优异的介电性能:介电常数为116，介电损耗为2.4×104，介电常数温度系数达到-16ppm/℃。　　研究了Ti4+取代B位Nb5+对BMN陶瓷结构和性能的影响，Ti4+取代提高了陶瓷的致密度，促进了晶粒略微长大，使晶格常数减小。在Ti4+取代量(y)为0.3时介电性能最佳:介电常数为192，介电损耗为4.3×10-4，温度系数为-220ppm/℃。然后选用Mo6+对BMN陶瓷B位Nb5+取代，探究不同Mo6+取代量对陶瓷结构和性能影响。研究结果表明，在Mo6+取代量较小(y≤0.2)时，陶瓷样品物相组成未变，取代量y=0.3时则超出了焦緑石结构的固溶极限，生成了第二相MgMoO4。Mo6+取代有效降低了烧结温度，介电性能也有一定程度改善。在y=0.2时烧结温度降为1010℃，介电常数为175，介电损耗为5.4×10-4，温度系数为-366ppm/℃。　　采用B2O3对BMN陶瓷进行掺杂，研究陶瓷烧结性能以及介电性能的变化。发现烧结温度显著下降，介电性能有略微变化。在B2O3掺杂量(ω)为4％时陶瓷的整体性能最佳，烧结温度降为950℃，介电常数为172，介电损耗为5.8×10-4，温度系数为-372ppm/℃。