ZnO是一种直接带隙宽禁带半导体材料，在光电子器件领域有着广泛的应用前景。同时，ZnO还有望成为稀磁半导体材料。本文采用离子注入的方式将P离子分别掺杂到ZnO以及ZnO:B薄膜中、将Fe、C离子依次注入到纯ZnO薄膜中。分别利用X-射线衍射（XRD）、X-射线光电子能谱（XPS）、光致发光谱（PL）、紫外-可见吸收谱（UV-vis）以及物理性质测量系统（PPMS）等主要测量手段对样品的结构、光学、电学和磁性质进行了系统的研究。首先，采用磁控溅射法生长在石英玻璃上的ZnO薄膜电阻率很大。当把能量/剂量分别为：¹⁵0keV/1.5×10¹⁵ions/cm²，80keV/5.5×10¹⁴ions/cm²，和35keV/².5×10¹⁴ions/cm²的P离子依次注入后样品呈现出空穴导电，但是载流子的浓度较低。经过500oC退火后，多能量、多剂量P离子注入的样品中空穴载流子的浓度急剧上升，而单能量、单剂量(¹⁵0keV/1.5×10¹⁵ions/cm²)P离子注入的样品和ZnO参考样品表现为n型导电。经过700oC退火处理后，各类样品的电阻率都变得非常大，超过了测量极限。同时我们对各类样品的结构、光学性质也进行了系统的比较和研究，可能是PO和（或）VZn对多能量、多剂量P离子注入的样品中的电学性质起了重要的影响。其次，采用MOCVD法制备的ZnO:B薄膜的结晶质量较高，沿（110）方向择优生长。将能量40keV，剂量5.0×10¹⁴ions/cm²的P离子注入后，对薄膜的结构没有造成明显的影响。当注入剂量分别增大到².5×10¹⁵ions/cm²和1×10¹⁶ions/cm²时，ZnO（110）衍射峰的强度有所降低，半高宽均增大。而且P离子注入之后，样品在可见光区的透射率明显下降。ZnO:B薄膜的电阻率较低，随着P离子剂量的增加，电阻率逐渐增大，当注入剂量达到1×10¹⁶ions/cm²时，电阻率增大到了0.37cm。最后，以玻璃为基底的ZnO薄膜室温下具有磁性。当把能量为1²0keV，剂量为5×10¹⁶ions/cm²的Fe离子注入后，在薄膜中形成了Fe的纳米颗粒。颗粒的形成对磁性没有贡献，反而使得室温下饱和磁矩降低了。当把能量为²0keV，剂量为3×10¹⁵ions/cm²的C离子注入ZnO后，薄膜中的磁性也没有增强。但是，把同样能量和剂量的Fe、C离子依次注入的样品中，室温下磁性明显增强。结合样品的结构、光学性质的变化对室温下饱和磁矩的增强进行了尝试性的解释。