以氮化镓（GaN）为代表的第三代宽带隙半导体材料正在逐渐兴起。与传统的半导体材料相比,GaN具有良好的化学稳定性,高击穿电压,低导通电阻和较高的工作温度。这些优点极大地弥补了传统半导体材料固有的缺憾,因此,GaN能够在高温,高功率,高频环境下工作。针对氮化镓肖特基二极管（Schottky Barrier Diode,缩写成SBD）存在击穿电压低的情况,采用垂直结构氮化镓肖特基二极管相比于选用横向结构氮化镓肖特基二极管能有效提高击穿电压,但目前工艺尚不成熟,且制造成本过高,针对上述情况本文通过仿真模拟软件对垂直氮化镓肖特基二极管开展了以下研究:1.从能带方面介绍垂直GaN SBD器件的工作原理,对本次仿真软件Silvaco所采用的三大基本物理方程和本次模拟选用的五个物理参数模型进行详细的介绍。通过模拟软件建立相应的垂直GaN SBD结构,通过观察仿真过程中器件击穿的位置提出尖峰电场的问题。2.考虑到垂直GaN SBD存在尖峰电场的问题,提出几种终端技术来缓解尖峰电场现象,并结合仿真数据分别对四种终端技术的工作原理和得到仿真数据结果做出了相应的解释。具体分析如下:（1）针对结终端结构的终端深度d和结终端长度L进行了优化分析;（2）对场板长度LFP的变化引电场峰值变化的原因进行探究,场板结构的引入能带来两个峰值电场,一个是肖特基金属阳极与GaN接触的主结位置的结峰值电场,另外一个是由于场板末端位置的改变对器件所造成的电场峰值偏移的偏移电场;（3）结合仿真数据对保护环结构原理进行简单的阐述;（4）提出一种复合终端结构,用氧化层代替保护环结构中的P+层保护环并和场板相结合的复合终端结构。最终得到的有复合终端结构的垂直GaN SBD的反向击穿电压为850 V,相比于无终端结构的垂直GaN SBD的500 V高出了350 V,提高肖特基二极管的击穿电压3.对复合终端结构的垂直GaN SBD结构进行了反向恢复特性的研究,详细分析了垂直GaN SBD器件的恢复原理和相应的电路原理,并利用仿真软件模拟得出该器件的反向恢复时间为1.6 ns,之后对该器件进行模拟变温反向恢复测试,发现随着温度的变化,器件反向恢复时间变化不大。之后利用现有工艺技术制造出典型的GaN SBD器件,通过C-V（电容-电压测试）分析得出掺杂浓度为得出掺杂Nd约为8.1×1015cm-3,与此次模拟的实验参数设定8×1015cm-3吻合,从而验证了本论文模拟的结果具有一定的参考意义,并对所得的器件进行I-V曲线和由第三章中通过模拟建立相同的SBD结果进行对比分析,得出二者开启电压基本一致;最后对器件进行I-V变温分析,得出反向电流的变温曲线则随温度升高而不断增加,随着温度的增加,器件的漏电流随之增加。