集成电路自发明以来,其尺寸一直遵循摩尔定律等比例减小。然而,随着技术的发展,晶体管尺寸减小到纳米级别,也遇到了许多新的问题。双栅MOSFET由于能够有效改进器件在短沟道情况下的亚阈值特性,提高晶体管的性能,因此是延续摩尔定律的一种有效的器件结构。本文对几种不同的双栅结构提出了解析模型,并且结合软件的仿真结果,对这几种结构的MOSFET的电学特性进行了研究。首先本文通过用级数法求解泊松方程,对最简单的一种双栅结构提出了一个电势以及亚阈值摆幅的模型。并以此模型计算了双栅金属氧化物在不同尺寸、不同栅极偏压下的电势分布。同时,也研究了器件的沟道长度、沟道厚度、栅极氧化层厚度、栅极偏压以及掺杂浓度等参数对器件亚阈值特性的影响。随后研究了用两种不同功函数形成栅极的双栅MOSFET。仍然用级数法求解泊松方程,但采用不同的边界条件得到对应的电势、亚阈值摆幅的解析模型。将此模型与软件仿真结果进行了比较,同时也对器件的电势分布、亚阈值特性有了一个初步的研究。最后,本文对无结双栅MOSFET进行了研究。将该器件根据沟道电势的分布情况,划分为几个不同的区域,对每个区域分别采用不同的近似求解泊松方程,以得到不同栅压下的沟道电势分布。随后,又以此求得无结双栅MOSFET的电流-电压特性和阈值电压表达式。