GaN及其化合物AlxGa1-xN，InxGa1-xN，AlxInyGa1-x-yN在光电器件及高温、高功率电子器件等方面有着广泛的应用。近年来，深紫外太阳光盲探测器和高效率的深紫外LED成为了III族氮化物研究中的热点课题，而高电导率的p型AlxGa1-xN材料，特别是高Al组分p型AlxGa1-xN材料，作为制备这些器件的基础已经成为了这一领域的焦点。　　 在p型AlxGa1-xN材料中，Mg掺杂形成的深能级受主，在室温下很难被激发产生空穴载流子。随着AlxGa1-xN材料Al组分的增加，受主的激活能增加，更制约了p型电导率的提高。我们研究了在p型AlxGa1-xN材料的生长过程中，引入三甲基铟(TMIn)对材料的p型电阻率的影响。在p型掺杂用的二茂基镁(CP2Mg)流量不变的情况下，改变三甲基铟(TMIn)流量，生长了A(TMIn=0sccm)，B(TMIn=40 sccm)，C(TMIn=80sccm)和D(TMIn=120 sccm)四块样品。XRD测试得到材料的Al组分为0.43，室温下测量显示，无TMIn辅助生长的p型AlxGa1-xN材料电阻率大于106Ωcm的量级，而TMIn辅助生长的p型AlxGa1-xN材料电阻率在104Ωcm的量级。变温霍尔效应测量表明，随着TMIn流量的增加，材料中受主激活能下降，当TMIn流量为80 sccm时，受主的激活能有最小值259 meV。我们认为，In可能作为表面活性剂降低了p型AlxGa1-xN材料中氮空位的浓度，减弱了补偿效应，同时Mg和In形成了共掺，降低了受主的激活能。　　 在深紫外探测器和深紫外LED的研究方面，通过对电极形状和欧姆接触条件等方面的改进，我们形成了一套可靠的工艺流程。在深紫外LED的封装方面，我们利用硅树脂粘合石英透镜的方法，减少了光的全反射，将LED出光效率提高了28.7％。利用TMIn辅助生长的方法改进LED的p型层的生长后，LED的发光强度提高了一倍。