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六方氮化硼（hBN）,是一种人工合成的超宽禁带半导体材料,具有类石墨结构,俗称“白石墨”。其禁带宽度高达6.0 eV以上,本征吸收边约为207 nm,在吸收边附近的吸收系数高达7×105 cm-1,且具有极高的热稳定性、化学稳定性及抗辐射能力,介电强度高达8 MV/cm,是制作深紫外光电探测器件的优选材料。但是由于生长工艺的限制,制备高质量、大尺寸hBN单晶和外延薄膜还面临着很大挑战,基于hBN薄膜的深紫外光电探测器的研究还处于起步阶段,探测器的响应度普遍较低。本文主要针对磁控溅射法制备的hBN薄膜的潮解机制和生长工艺优化,以及基于hBN薄膜的深紫外光电探测器的制备与性能开展了系列研究工作。主要研究内容和研究结果如下:采用射频磁控溅射法在硅、蓝宝石和石英衬底上制备了hBN薄膜,利用XPS技术分析了hBN薄膜的化学成分与化学结构。XPS的结果显示易潮解的hBN薄膜中氧的原子百分比普遍高于30%,并主要与硼原子成键,表明薄膜中有氧化硼存在,而氧化硼易于吸收空气中的水蒸气生成硼酸,进而使得薄膜潮解。为了抑制hBN薄膜的氧含量,对制备工艺进行了优化:（1）通过在2000℃高温条件下煅烧靶材2小时以上,使得靶材中的氧化物充分升华,去除hBN靶材中的氧杂质;（2）通过烘烤生长室的内壁,并反复通入高纯氮气纯化生长室,尽可能地去除生长室中吸附的含氧气体。工艺优化后,制备的hBN薄膜中氧含量急剧减少,hBN薄膜的稳定性极大改善,可以长期稳定存在于空气中而不发生潮解,甚至可以利用去离子水浸泡法实现hBN薄膜的衬底间转移,转移之后的hBN薄膜性质没有明显改变。基于稳定的hBN薄膜,研制出具有金属-半导体-金属（MSM）共面叉指电极结构的深紫外光电探测器原型,该探测器的探测截止波长位于230 nm,峰值响应波长为200 nm,最大响应度为10 mA/W。由于采用标准硅探测器进行定标,实验室搭建的光谱响应测试系统的最短定标波长仅为200 nm。研制的hBN深紫外光电探测器在200 nm以下的光谱响应曲线还需要进一步研究。此外,以hBN薄膜为插入层,研制了具有深紫外增强特性的MSM型硅光电探测器。在波长250—800 nm的范围内,该探测器的响应曲线与普通硅光电探测器基本一致,而在200—250 nm范围内,与普通的硅探测器相比,该探测器的响应度得到显著提高。