随着便携式电子产品的广泛应用，电源管理芯片日趋显现出其在电子产品中的重要地位。基准源是电源管理芯片设计中尤为重要的环节，其直接输入到误差放大器、脉宽调制比较器、过流比较器以及振荡器等模块，因此基准源的性能直接影响电源输出的性能。随着对电源管理芯片的高要求，基准源电路的性能受到越来越广泛的关注。减小基准源的温度系数和提高电源抑制性能一直是基准源设计的关键。　　 论文首先介绍了基准源的理论基础，包括其性能指标及基本结构类型。通过对其结构的详细分析和对比后，选用带隙结构实现基准电压源的核心电路，通过设计PTAT电流产生电路和CTAT电流产生电路实现了一阶温度补偿，并设计了运算放大器电路。接着对一阶温度补偿的基准电压电路进行了优化，设计了温度优化电路和电源稳定性优化电路。通过利用两个偏置在不同电流特性的双极管，得到非线性项进行温度高阶补偿：通过在基准输出端引入极点来提高电路的电源抑制能力，同时减小基准的输出噪声。在完成基准电压源电路设计基础上，实现了基准电流源电路的设计。　　 论文基于CSMC0.5μmBCD工艺实现基准源电路，通过Spectre对电路进行仿真验证，结果表明在-25℃～150℃温度范围内，TT模型下基准输出电压变化约830.9μV，温度系数为4.344ppm/℃，全工艺角下温度系数小于14ppm/℃，电源调整率小于0.4％/V，电源抑制比大于50dB，静态电流仅为15μA左右，完全满足了电源管理芯片中对基准源的功耗、电源抑制比、温度系数、工作电压等方面的要求。同时论文完成了一阶温度补偿的基准电路的测试。测试结果显示在25℃～125℃的温度范围内，基准输出电压变化了15mV，温度系数约125ppm/℃；当电源电压大于2.6V时，基准电压输出基本稳定在1.2V。