【摘 要】
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在本论文中,通过对靶溅射(Facing Target Sputter)法在斜切10°的铝酸锶镧(LaSrAlO4)和氧化镁(MgO)基底上镀制La0.4Ca0.6MnO3-δ薄膜,并使用XRD和TEM技术研究了样品的结晶性,
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在本论文中,通过对靶溅射(Facing Target Sputter)法在斜切10°的铝酸锶镧(LaSrAlO4)和氧化镁(MgO)基底上镀制La0.4Ca0.6MnO3-δ薄膜,并使用XRD和TEM技术研究了样品的结晶性,微结构及界面结构。此后,重点研究了真空退火和氧气氛围下退火对LSAO/LCMO(LaSrAlO4/La0.4Ca0.6MnO3-δ)和MgO/LCMO(MgO/La0.4Ca0.6MnO3-δ)氧含量的影响,以及氧含量的变化对样品光生伏特效应的影响。 主要取得以下成果: 1、XRD的采集结果表明薄膜生长具有良好的结晶性,并且TEM的明场图片显示LCMO(La0.4Ca0.6MnO3-δ)薄膜的厚度～120nm,高分辨率透射电镜(HRTEM)图片清晰显示了薄膜沿倾角10°方向生长的,界面处也形成了明显的梯形结构。 2、研究了退火对LSAO/LCMO和MgO/LCMO薄膜氧含量的影响。结果表明氧气退火能够增大LCMO中O的含量,并且氧气退火的温度越高,LCMO薄膜越容易吸收氧;而真空退火减小LCMO中O的含量,并且真空退火的温度越高,LCMO薄膜越容易脱氧。由于氧的含量难以定量定标,所以用氧气退火和真空退火的条件来间接表示氧含量的大小,即认为氧含量Oo900>Oo700>Oo5OO>Ov400>Ov500>Ov600。 3、研究了LSAO/LCMO和MgO/LCMO薄膜中氧含量对光生电压和电流的影响。对于样品LSAO/LCMO,光生电压的值RPV和电流的值RPI都随着晶格变化△d的增大而单调减小。对于样品MgO/LCMO,光生电压的值RPV和电流的值RPI都随着膜面衍射峰的角度变化△2θ的增大而单调增大。结合在HRTEM图片中所观测到的沿10°倾斜方向的界面梯形结构,利用了电子扩散理论和能带论来解释氧含量对光生电压和电流产生上述影响的原因。
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