钙钛矿锰氧化物是典型的强关联电子体系,其中存在着庞磁电阻和相分离等许多奇特的物理现象。研究基于锰氧化物材料的薄膜和异质结构,对研制和发展光、磁、电等多场调制的多功能器件具有重要意义。本论文的主要工作,都集中在制备高质量的锰氧化物外延薄膜和异质结构,研究锰氧化物异质结的光电效应,为氧化物光电探测器的研制打下基础。本文取得了以下主要结果:　　 1.利用先进的激光分子束外延系统,在n型Si(001)单晶衬底、表面预先生长了5 nm SrTiO3薄膜的n型Si(001)单晶衬底(STO/Si)和掺Nb质量分数为0.8%的SrTiO3(001)(SNTO)单晶衬底上分别外延生长了厚度从4 nm到200 nm的La0.9Sr0.1MnO3(LSMO)薄膜。X射线衍射(XRD)和高分辨透射电子显微镜等结构分析都表明薄膜取向一致,结晶质量很高。　　 2.利用波长为308 nm的纳秒脉冲激光照射,详细测试了不同氧压制备的LSMO/Si和LSMO/SNTO等异质结的光电效应。实验结果表明,随着LSMO薄膜的厚度从200 nm逐渐减少,这些异质结的光电压峰值都呈现出先增加后减小的变化规律。光电压的极大值,对应着LSMO薄膜一个特定的厚度,比最厚薄膜的光电压要大一个数量级。　　 3.为了解释这一现象,我们引入了一维漂移-扩散模型进行自洽求解。理论模拟表明,光电压极大值出现在LSMO薄膜的厚度接近LSMO一侧耗尽区的厚度时,而这一厚度会受到薄膜生长的氧压和衬底类型的影响。这一发现对以后设计基于钙钛矿氧化物异质结的光电探测器有很大帮助。