【摘 要】
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GaAs微波功率单片电路具有高频率、宽频带、低损耗、大功率、小体积、抗辐照能力强等特点,使得GaAs MMIC在军事电子上应用广泛。本论文研究了MESFET、HEMT、PHEMT的结构、工
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GaAs微波功率单片电路具有高频率、宽频带、低损耗、大功率、小体积、抗辐照能力强等特点,使得GaAs MMIC在军事电子上应用广泛。本论文研究了MESFET、HEMT、PHEMT的结构、工作原理和模型,分析了功率单片电路的材料结构,器件设计、建模技术、电路设计、测试技术等。在3英寸GaAs工艺线上,采用0.25 u m PHEMT工艺,制做出X波段大功率MMIC。达到的主要技术指标为：频率8-9GHz；饱和输出功率≥39dBm功率增益≥21dB；功率增益平坦度≤±0.3dB；输入驻波比≤1.6：1；附加效率≥33%。该单片电路达到了预期的研究目标,在军用与民用领域均具有良好的应用前景。
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