伴随着便携式电子设备的不断普及,IC领域对于电源管理芯片的要求日趋严格,作为电源管理市场主力之一的LDO对于电子设备性能的提高具有极大的影响作用,LDO的性能会直接影响到后续电路模块的设计,因此研究高性能的LDO具有巨大的实际价值。本文设计了一款高PSRR(电源抑制比)低功耗的LDO,它采用了SIMC0.18umCMOS工艺,具有很好的电源抑制比,其低频PSRR在5.5V电压下有-100dB以上,其他电压下也可达到80dB以上；高频PSRR在所有电压下都有-50dB以上,而且LDO具有很宽的输入电压范围,可在2.0V～5.5V正常工作,输出电压为1.5V,其负载最大可到30mA以上。设计中充分考虑了低功耗的要求,最终除带隙基准源模块外,LDO的静态功耗只有50uA以内。本文首先介绍了LDO的基本工作原理及主要设计指标,之后对LDO的稳定性进行分析,包括频率补偿和PSRR的分析,然后对电路各模块的设计进行分析介绍,包括带隙基准源的PSRR分析,误差放大器和功率管的选择分析,并介绍频率补偿的方法,最后借助Cadence仿真软件对电路进行了仿真分析,给出设计出的性能参数。仿真结果表明本文设计电路达到了设计指标,符合设计预期。全文最后进行了总结,并对本文设计的电路提出改进的目标。