透明导电氧化物（TCO）薄膜因在可见光区的高透过率及优异的电学性能，被广泛应用于有机发光二极管、太阳能电池、微电子器件等多个领域。目前研究最广泛、最具发展前景的一类是以氧化锌（ZnO）为基体进行掺杂的TCO薄膜。用Mo掺杂的ZnO（MZO）薄膜更是当前的研究热点问题之一。本文采用的是磁控溅射法，使用射频靶与直流靶共溅射的方法成功的制备了MZO薄膜，并研究了不同的工艺参数，如衬底温度、ZnO靶功率、溅射时间等，对MZO薄膜的结构、电学、光学性质的影响，找到了制备高质量MZO薄膜的方法。研究发现随着射频功率、衬底温度、溅射时间的增加，MZO薄膜的电阻率呈现出先降低后升高的趋势；而透过率随着射频功率、衬底温度的增加波动不大，光学带隙则减小；随着溅射时间的增加，透过率在初始阶段先增加后稍有下降；在射频功率为326W，衬底温度为100℃，溅射时间为40min时得到了MZO薄膜的最小电阻率为2.829×10-3Ω·cm，并且在可见光区的平均透过率将近80%。