【摘 要】
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该文在P型半导体硅上进行了浸镀Pd、化学沉积及激光诱导化学沉积Ni-Pd-P和电沉积Ni-Pd、Ni-Pd-P、Ni-Co-P、Ni-W-P、Cu/Co合金的研究,主要的工作有以下几个方面L:首次采用控
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该文在P型半导体硅上进行了浸镀Pd、化学沉积及激光诱导化学沉积Ni-Pd-P和电沉积Ni-Pd、Ni-Pd-P、Ni-Co-P、Ni-W-P、Cu/Co合金的研究,主要的工作有以下几个方面L:首次采用控制电位极化方式获得与硅基体具有良好结合力的Ni-Pd薄膜,该方法解决了硅基体上镀膜结合力差的问题.研究了半导体硅表面状态、镀液组成、pH值、温度及极化方式对镀层组成的影响.采用化学置换法获得了具有较高催化析氢活性的Pd/Si电极.研究了工艺条件对硅上化学沉积Ni-Pd-P薄膜的影响.首次使用Nd-YAG脉冲激光器实现了室温下半导体硅上化学沉积Ni、Ni-Pd-P薄膜.在半导体硅上电沉积Ni-Pd-P镀层时,研究了各工艺参数对镀层组成的影响.Ni-Co-P合金镀层中的P含量主要由镀液组成及pH值决定,温度、扫描速度和终止电极电位对镀层P含量不显著.恒电流沉积Ni-W-P,升高电镀温度有利于提高薄膜中的W、P含量;降低pH值有利于提高镀层中的P含量.采用以脉冲电位方法在p-Si(111)面上成功地制备出Cu/Co层状膜.i-t暂态曲线及STM结果表明Cu是以二维方式生长的,而Co则是以三维成核的岛状方式成长.
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