电子俘获型材料(Electron trapping materials)具有存储的特性,并且材料被长波波长的光激励时,可以辐射出短波波长的光,因此它在光学领域的另外一个名称为光激励发光材料。光激励发光材料因其独特的性质,其在红外探测、红外光转换、光存储及X射线成像等诸多方面有其广泛的应用前景。目前,可以商业化光激励材料主要是碱土金属硫化物系列,这种材料的光激励发光初始激发亮度强度高,并且光存储量大等诸多优点。但是,硫化物的本身的致命缺陷就是热稳定差。同时,我们知道硫化物的分解,将会产生有毒害的物质,可以对自然环境造成严重的污染。因此,寻找一种化学性质稳定,并且对环境污染少的光激励材料已经成为当前的光激励材料研究的重点。从所周知,硅酸盐体系具有较好的化学稳定性,并且耐高温、抗腐蚀等优点,是目前被广泛的用作稀土发光材料的基质材料。其中,基质材料RSrSiO4:Eu2+(R=Sr/Li2)是一类传统的LED (light emitting diodes)用的荧光粉,本论文以RSrSiO4:Eu2+(R=Sr/Li2)为研究对象,通过掺入另一种共激活剂的方式引入陷阱以提高其光激励发光性能。主要的研究成果如下：1)在基质材料β-SrSiO4:Eu2+中,通过La3+离子掺杂有效的提高了样品长余辉发光性能与光激励发光性能。样品的长余辉时间从几分钟增长到五十多分钟,同时其光激励初始强度、光激励光存储量等性能都有不同程度的提高。其原因是由于掺杂La3+离子的样品本征存在的氧空位更加稳定,因此其俘获电子的能力得到很大的提高,这些增加的陷阱可以很大程度的提高材料的光激励发光性能。2)在Li2SrSi04:Eu2+材料中,我们通过掺入四种不同的稀土离子(La3+/Nd3+/Dy3+ /Tm3+),研究发现不同的稀土离子对基质材料内部的微观结构影响不同,通过比较发现La3+离子能有效的增强材料的不同温度范围的热释光强度,因此其对样品的光激励发光性能是有较大贡献。同时发现Nd3+/Dy3+离子对样品材料的长余辉发光性能是有贡献的,而对光激发光性能影响较小,因而可以忽略,其中Dy3+离子对样品的长余辉发光性能影响最大。而Tm3+离子可以有效的提高深陷阱区的热释光峰,不过在我们用近红外光激励时,不能使陷阱中的电子释放出来,因而Tm3+离子对光激励发光几乎没有贡献。3)系统的研究了不同浓度La3+离子掺杂下Li2Sr0.997SiO4: 0.003Eu2+光激励发光性能的变化。通过比较样品的光致发光和光激励发光光谱,说明样品的发光都来自同一个发光中心,即Eu2+离子4f65d1→4f7的跃迁。经研究我们发现,随着La3+离子浓度增加样品的光激励发光性能逐渐提升,当La3+的掺杂浓度为0.008时,基质材料的光激励发光初始强度和光激励光存储量性能均达到了最优。同时研究了Dy3+离子对材料Li2Sr0.997SiO4:0.003Eu2+的荧光发光、长余辉发光性能的影响。通过实验发现,Dy3+离子的引入在一定程度上使得材料的荧光发光强度有所降低,这是因为Dyr3+的引入使得材料本征存在的氧空位更加稳定,增强了其俘获载流子的能力,因此,在光致发光过程中,这些陷阱将会俘获部分载流子造成基质材料发光强度的降低。同时我们发现材料的长余辉性能随着Dy3+离子的引入有所增强。