【摘 要】
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随着信息化高速发展,存储器件的微型化是十分重要的。外延生长的单晶薄膜为其提供了一种途径。探究薄膜材料优异性能的微观机制,对设计下一代器件具有重要的指导作用。本文基于此目的,主要利用扫描透射电子显微学(STEM),结合第一性原理计算进行了如下四方面的研究:1. 在SrTiO_3(001)衬底上外延生长固定厚度LaMnO_3与可变厚度LaCoO_3组成的(LaCoO_3/LaMnO_3)_5超晶格中,
【机 构】
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中国科学院大学(中国科学院物理研究所)
【出 处】
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中国科学院大学(中国科学院物理研究所)
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随着信息化高速发展,存储器件的微型化是十分重要的。外延生长的单晶薄膜为其提供了一种途径。探究薄膜材料优异性能的微观机制,对设计下一代器件具有重要的指导作用。本文基于此目的,主要利用扫描透射电子显微学(STEM),结合第一性原理计算进行了如下四方面的研究:1. 在SrTiO_3(001)衬底上外延生长固定厚度LaMnO_3与可变厚度LaCoO_3组成的(LaCoO_3/LaMnO_3)_5超晶格中,随着LaCoO_3厚度的增加,测出了薄膜总饱和磁化强度的异常减弱。本文利用STEM对其进行了原子尺度上的
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