纯碳化钨的制备工艺与性能

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本论文采用热压烧结以及热等静压后处理的方法,固结亚微米WC粉末(含有0.33wt%VC和0.54wt%Cr3C2),成功的制备出高致密的、晶粒细小的WC陶瓷。先采用热压法在不同温度下固结WC粉末,初步探索出制备致密WC陶瓷的热压烧结工艺,然后采用热等静压对致密的WC陶瓷进行后处理,制备出高致密的WC陶瓷,并对烧结的WC陶瓷的力学性能进行了较全面的分析测试,还采用TEM和EDX对晶粒生长抑制剂的抑制机理进行了研究。最后,通过优化热压烧结工艺,成功的制备出全致密的亚微米WC陶瓷。通过对热压烧结的WC陶瓷的组织和机械性能进行分析,研究表明在1900~2000℃,28MPa,30min的烧结工艺下,可以制备出较为致密的亚微米WC陶瓷;在2000℃,35MPa,30min的烧结工艺下,可以制备出全致密的亚微米WC陶瓷。对于没有完全致密的WC陶瓷进行热等静压处理后,可以在晶粒没有明显长大的前提下,进一步提高陶瓷的致密度,从而制备出高致密的亚微米WC陶瓷,其硬度明显提高,高达26GPa。对高致密的WC陶瓷的疲劳性能进行了测试,结果表明,WC陶瓷的疲劳断口具有典型的疲劳形貌特征,疲劳断口可分为三个区即疲劳源区、疲劳裂纹扩展区和瞬断区。高应力、高周次疲劳宏观断口与低应力、低周次疲劳的相比,其疲劳源区和疲劳裂纹扩展区较明显且所占的比例较大,而瞬断区所占的比例相对较小对全致密的WC陶瓷进行了冲蚀磨损性能测试,研究表明,WC陶瓷的冲蚀磨损率与冲蚀角的相关。在45°时冲蚀率最大,其冲蚀机制主要是在正应力、弯曲应力和切应力作用下,形成微裂纹,微裂纹扩展形成龟裂裂纹,并在粒子的冲击作用下,使龟裂裂纹扩大加深。在70°时最小,其冲蚀磨损机制主要是正应力产生接触疲劳,同时切应力对表面产生剪切破坏,表面一旦形成微裂纹,材料颗粒将被及时冲蚀掉,不易存在较大裂纹。通过TEM和EDX对晶粒生长抑制剂的分布进行了研究,结果表明,晶粒生长抑制剂在晶角(棱)和小平面晶界处偏聚,阻碍了晶界的迁移,从而限制WC晶粒的长大和抑制WC晶粒的异常长大。
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