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本文对CIGS薄膜太阳电池材料及其表界面结构特性进行了研究。主要内容如下：
⑴阐述了CIGS薄膜电池材料及其表界面的物理组份、结构和其它特性，CIGS薄膜太阳电池工作原理，介绍了CIGS薄膜电池的沉积工艺和设备。
⑵系统地讨论了贫Cu相到富Cu相的演变过程。
⑶系统地研究了贫Cu的CIGS薄膜的晶相随其Cu/(In+Ga)比值变化而变化的情况。该比值为0.17～0.61时薄膜晶相基本上是有序缺陷化合物OVC(ODC)(Ordered Vacancy Compound，或Ordered Defect Chalcopyrite)相。
⑷系统地研究了OVC(ODC)薄膜的表观形貌。研究发现，OVC(ODC)薄膜的晶粒呈薄片状或长条状，而Cu(In，Ga)Se<,2>的晶粒呈块状，且随着薄膜Cu/(In+Ga)比值的增大，其晶粒也逐渐增大。
⑸通过改变XRD入射角(0.05°～1°)，分析研究了OVC(ODC)三个特征衍射峰(002)、(110)、(114)强度随入射角变化而变化的情况。表明OVC(ODC)相只存在于薄膜表面层，而体层基本上是Cu(In，Ga)Se<,2>相。
⑹采用XPS和TEM系统地研究了CIGS表面层的结构特性，得到基本一致的结论。
⑺采用XPS研究CdS/CIGS和ZnO/CdS界面各元素的化学状态表明，CdS、CIGS薄膜之间，以及ZnO、CdS薄膜之间不会发生化学反应。