通信和电子技术的快速增长带来了集成电路（IC）产业的蓬勃发展。随着集成电路工艺的改进，片上无源器件的性能逐步提高，片上无源器件在满足电路性能指标的同时极大的提高了系统的集成度，这已经被广泛的研究和应用。然而，从器件优化和电路仿真的角度而言，无源元件研究仍然具有挑战。器件与频率无关的精确模型及其高精度的参数提取方法仍旧很缺乏，并已经成为制约CMOS集成电路产业发展的瓶颈。　　 本论文介绍了无源元件仿真，测试，参数提取和建模全过程。现有两种主流的片上无源元件的建模技术，电磁场（EM）仿真和等效电路的物理模型。本文首先对电磁场仿真建模技术进行了介绍，并分别用两款仿真软件（ansoft HFSS和ADS momentum）对无源元件进行了定性研究。该方法是一种经济快捷的建模方法，但存在准确性，缩放等方面的问题。第三章中描述了S参数测试和参数剥离，针对二端口和多端口网络分别给出了常用的参数剥离方法，并比较了各种方法的优缺点。在得到的剥离后S参数值的基础上，文章介绍了等效电路模型技术，给出了一些常用的电感等效电路模型，如目前被广泛应用的单π等效电路，双π等效电路等，同时提出了几款原创性的模型，如N-π等效电路和带中央抽头的对称电感等效电路等。等效电路建模技术基于晶圆在片测试的S参数测值，具有良好的精确性和广泛的兼容性，被广泛的采用。最后本文阐述了等效电路模型的一些参数提取方法，并着重讨论了特征函数参数提取法。目前主流参数提取法是的迭代拟合法，需要大量迭代运算，既非常耗时，又由于其与输入的初始值有强的关联性，可能会产生潜在的收敛问题，如非最佳结果和非收敛解等。本论文提出的方法很好的避免了以上缺点，可以很好的应用于不同模型，同时提取参数所得到的模型与测试结果实现了高精度的拟合。　　 本文中提出的模型和总结出的参数提取方法能够提供给集成电路工程师以及电类研究领域研究者一定的帮助。