【摘 要】
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本工作利用密度矩阵理论研究了半导体量子阱在太赫兹场作用下的光吸收谱及带问动力学过程；研究了直流电场和太赫兹场的作用下量子阱带问光吸收谱。直流电场单独作用时效果和太
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本工作利用密度矩阵理论研究了半导体量子阱在太赫兹场作用下的光吸收谱及带问动力学过程；研究了直流电场和太赫兹场的作用下量子阱带问光吸收谱。直流电场单独作用时效果和太赫兹场单独作用时类似，既吸收谱中出现激子峰;不断增大强度，出现红移现象;它们共同作用时，吸收谱中除了出现激子峰外，还出现复制峰，且太赫兹频率决定着复制峰的位置和强度．还研究了在太赫兹场的作用下，非对称双量子阱的激子吸收。发现太赫兹场频率时在低能端出现两个复制峰，而高能端也出现两个复制峰。且随着太赫兹场频率增大，低能复制峰出现红移现象，而高能复制峰出现蓝移现象。最后，研究了量子阱中磁激子跃迁的光吸收谱根据1s→2内部激子跃迁可以得到磁吸附系数，观察到的内部激子跃迁同时发生在重空穴和轻空穴磁激子上。
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