随着电子器件向高功率和轻量化的方向不断发展,对电子封装热沉材料提出了更高的性能要求。W-Cu复合材料具有较高的强度、良好的导热性和较低的热膨胀系数,且结构组织可调,作为电子封装材料在微电子行业具有广阔的应用前景。然而,由于W、Cu元素之间熔点相差较大、互不相溶且润湿角较大,采用传统粉末冶金方法很难获得致密度较高和性能优异的W-Cu烧结体。通过制备纳米W-Cu复合粉体提高其烧结活性和组元分布均匀性有望解决上述问题。本文以偏钨酸铵（AMT）和硝酸铜（Cu（NO₃）₂·3H₂O）为原料,氨水（NH₃H₂O）为PH调节剂,采用化学共沉淀法合成了W-Cu氧化物前驱体,经过煅烧、机械球磨和氢气（H₂）还原工艺制得了纳米W-15 wt.%Cu复合粉体。采用真空热压烧结法对W-15wt.%Cu复合粉体在不同温度（900¹050°C）、压力（60¹20 MPa）和保温时间（1 h³h）进行烧结.研究发现:XRD分析结果表明还原后纳米复合粉体纯度较高。SEM结果表明复合粉体分散性良好,形状近似球形,W颗粒和Cu颗粒平均尺寸小于350 nm。W-15 wt.%Cu复合粉体在1050°C、120 MPa,保温2 h烧结条件下,致密化程度最高,组织也最均匀,其相对密度为99.3%。此时,复合材料具有高的热导率、低的热膨胀系数和高的显微硬度,其值分别为205 W/m K、6.5×10^-66 K^-1和446 HV。