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IGBT模块具有输入阻抗高、导通压降低、驱动功率小、饱和压降低等特点，是未来功率器件的发展方向，其工作过程中发热量较高，需要及时散热。SiCp/Al材料由于具有密度小、刚度高、导电性好、热膨胀系数小、导热性好、几何精度稳定等特点，成为IGBT行业理想的基板材料。目前SiCp/Al主要采用粉末冶金、搅拌熔铸、共喷沉积、无压渗透与压力渗透五种制备方式，通过对比分析并且结合研发单位的实际生产条件，课题最终选择了采用压力渗透的方法制备SiCp/Al材料。根据制定的研发计划，课题被分成材料制备与基板加工两大部分。材料制备阶段需要分别采用粉末压力渗透（干粉法）与预制块压力渗透（预制块法）制备获得SiCp/Al材料；基板加工阶段需要在获得SiCp/Al材料的基础上，完成钻孔处铝质基材的填充、表面铝材的涂覆、平面与拱形面的加工。采用干粉法时，需要先对SiC材料进行前处理，除去碎屑与部分杂质，然后合理的选用不同粒度的SiC粉末进行配比并填充模具，再依靠压机将SiC粉末体积分数压至62%~68%。课题选用了牌号为ZL104的铸造铝合金作为铝原料，通过超声除气、精炼剂除杂后，注入模具进行压力渗透制备SiCp/Al材料。采用预制块法时，需要先将处理后的SiC粉末与一定比例的粘结剂混合，搅拌均匀后充填至模具，压机将SiC体积分数压至62%~68%后，放入烘干炉内充分干燥，出炉后转移至高温电阻炉烧结成形。再将预制块适当加工后放入模具，浇注铝液进行压力渗透制备SiCp/Al材料。采用干粉法时，通过制备成形铝合金框模并与SiC颗粒一同进行压力渗透的方法可以获得铝质钻孔基材，而采用预制块法时，则通过对预制块进行机加工，直接压力铸造获得边缘的钻孔基材。表面0.1~0.2mm的铝层，最终通过热喷涂的方法获得，但是表面存在气孔，目前仍未解决。平面与拱形面的加工通过采用平面与成形砂轮磨削实现，添加足量的冷却液，防止表层烧伤即可。SiCp/Al材料的性能，目前主要进行了SiC体积分数、密度、热膨胀与热导的测试，除体积分数外，其余参数还未能达到完全合格；IGBT基板的质量，除了热喷涂的气孔问题还未解决外，其余都得到了适当处理。