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目的：血脑屏障(BBB)损伤既是脑缺血再灌注损伤的一个病理表现，又是进一步导致脑组织损伤的一个重要环节。本研究从血脑屏障入手，探索电针对急性脑缺血再灌注损伤大鼠血脑屏障影响的保护机制。方法：采用大脑中动脉线栓法建立急性脑缺血模型，运用电镜观察血脑屏障超微结构，免疫组化ABC染色法检测基质金属蛋白酶及其组织型抑制剂蛋白表达、胰岛素样神经生长因子蛋白表达，用Julio氏神经行为学评分法进行神经行为学评分，探讨电针对大鼠脑缺血再灌注损伤血脑屏障的影响。结果：电镜观察血脑屏障超微结构：模型组星形胶质细胞足突严重水肿，呈空泡化改变，挤压毛细血管，致使管腔狭窄，甚至闭合；线粒体肿胀嵴断裂，紧密连接开放及周细胞细胞核肿胀变形，基底膜结构破坏。而电针组星形胶质细胞足突水肿明显减轻，毛细血管管腔大致正常，线粒体肿胀减轻，紧密连接结构存在，周细胞细胞核肿胀减轻，核膜完整，基底膜清晰尚连续。免疫组化ABC染色法检测结果显示：模型组缺血侧海马CA1区神经元MMP-2、MMP-9以及TIMP-3高度表达，表达部位在细胞浆；电针组缺血侧海马CA1区神经元MMP-2、MMP-9、TIMP-3表达显示神经元较模型组表达减少，表达部位在细胞浆。模型组缺血侧顶叶皮层锥体细胞神经元IGF-1表达显示锥体细胞层锥体细胞核周有极少表达，表达部位在细胞浆，和阴性细胞几乎难以区分。阳性细胞和阴性细胞杂散分布；缺血侧纹状体神经元IGF-1表达，显示颗粒细胞神经元细胞浆未见明显表达，核周几乎不见有阳性表达。电针组缺血侧顶叶皮层锥体细胞神经元IGF-1表达显示锥体细胞层锥体细胞核周有明显表达，表达部位在细胞浆；缺血侧纹状体神经元IGF-1表达显示颗粒细胞神经元有明显表达，表达部位在核周细胞浆中。阳性细胞和阴性细胞杂散分布。神经行为学评分方面，电针组评分明显高于模型组。结论：电针对由于脑缺血损伤引起的血脑屏障破坏确实有保护作用，同时提示脑缺血早期介入针灸治疗，能有效改善缺血再灌注导致的血脑屏障超微结构的病理改变；减少基质金属蛋白酶的过度表达对BBB基底膜的破坏；增加胰岛素样生长因子的表达，抑制细胞凋亡。上述作用提示电针能保护BBB，从而减轻脑水肿，保护脑组织。