近几年来,量子环由于其独特的物理性质受到了物理学家的广泛关注。在同心量子环中,由于选择规则的作用,不同角动量状态间的电荷隧穿被强抑制。同心量子环可以有效的耦合直接和间接激子,所以同心圆量子环可以被应用于半导体量子计算器件的研究中。量子环的物理性质与其形貌有着很大的联系,激子的能量的色散关系就随环半径的不同而不同。本文主要研究了二步升温法制备量子双环工艺;三步升温法制备量子三环工艺;Ga液滴的沉积量、沉积速率和晶化As压对量子双环的影响以及As压和生长温度对量子三环的影响。二步升温法制备量子双环:首先关闭As阀在衬底温度下沉积Ga液滴,将衬底温度降到,在As等效束流压强为Pa的条件下晶化20s;衬底温度由升至,在同样的As等效束流压强下晶化10分钟。实验结果表明二步升温法可以制备量子双环。对生长条件的探究表明,随着Ga原子沉积量的增加,量子双环的内外环直径变大,内环高度变高,外环高度降低;随着Ga原子沉积速率的增加,量子双环的内外环直径变小,内环高度变低,外环高度升高,量子双环密度增大。在本文中解释了造成这些现象的原因。三步升温法制备量子三环:第一步,衬底温度降至,在零As压下沉积的Ga液滴;第二步,衬底温度由降至,在As等效束流压强为Pa的条件下晶化20s;第三步,关闭As阀门,衬底温度由升至,在同样的As等效束流压强下晶化20s。第四步,关闭As阀门,温度升高到,待温度达到后打开As阀,在同样的As等效束流压强下晶化10 min。实验表明随着As束流的增加最终的纳米结构由双环变为三环最后变为单环。温度的增加使得三环形貌更加明显,环直径增加,环高降低。同时我们发现当相邻生长温度温差很大时,会形成量子四环。本文分析了了造成这些现象的原因,并给出了三环和四环的成环机制。