智能可穿戴电子设备在人体健康监测和护理系统中的潜在应用受到广泛关注,与人体有良好相容性及稳定性的柔性可穿戴设备得到更好的发展,实时通信的可穿戴设备快速发展对柔性高频通信器件提出了更高的要求。目前柔性声表面波（SAW）器件面临的主要问题为柔性衬底上高性能压电材料的制备及高频SAW器件性能的提升;本文基于聚酰亚胺（PI）薄膜衬底主要开展了具有较高横向声速的AlN压电薄膜材料的沉积工艺优化,结合亚微米叉指换能器（IDT）设计构建了柔性高频SAW器件,属于柔性高频器件领域的研究热点之一。本文采用反应磁控溅射在PI衬底上沉积AlN薄膜,主要优化了生长温度、溅射功率、溅射压强、氮氩比等工艺条件对AlN薄膜物理特性的影响。XRD、AFM、EDS等测试结果表明:在室温下,影响因素中溅射功率是关键因素,且溅射功率240 W时AlN薄膜（002）取向较好,表面粗糙度（RMS）为3.2 nm,Al、N元素比为1/1。优化得到的最佳工艺条件为:溅射功率240 W、溅射压强0.3 Pa、氮氩比2/1;制得的AlN压电薄膜电学特性测试表明:蝴蝶曲线窗口饱满、相对压电系数d^*₃₃=8.01 pm/V;且在弯曲半径为25.47 mm,循环弯曲10000次后AlN薄膜的压电性能保持稳定。本文基于“电子束曝光系统与溶脱剥离工艺”构建了“Ti/AlN/Mo/PI”柔性SAW器件,研究了IDT的不同叉指对数、叉指宽度、叉指孔径对器件传输性能的影响。SAW器件电学特性测试结果表明:随着叉指对数的增加,SAW器件的中心频率强度增加、主峰相对带宽减小、插入损耗减小、杂峰减少;随着叉指线条宽度减小,使得中心频率增加,但是器件的相对带宽与插入损耗也会增加;随着叉指孔径增大,器件中心频率不变,相对带宽与插入损耗减小,但是中心频率主峰周围的杂峰增多。叉指线宽为200 nm时SAW器件中心频率为4.95 GHz,插入损耗为-35.26 d B。对制备的SAW器件进行循环弯曲实验,可知循环弯曲10000次后器件的中心频率与插入损耗保持稳定。本文在柔性衬底上,优化了生长AlN薄膜的工艺条件,并且制备了中心频率为GHz以上的SAW器件,为制备高频柔性AlN基SAW器件提供参考。