ⅡB族金属硫化物纳米材料的高分子膜模板法制备与表面修饰

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近年来,在纳米材料的制备研究中,科学家们一直致力于对其组成、结构、形貌、尺寸、取向、排布等的控制,以使得制备出的材料具备各种预期的性质.基于此,通过大量研究,该文探索出了一种新的半导体纳米材料的化学合成方法——高分子膜模板法.该模板性能稳定,可以避免与组装介质发生化学反应,能够保证产物的确定性;同时其还具有厚度、大小等人为可控的特点.该工作是在上述思想的指导下,利用其合成出了ⅡB族金属硫化物纳米材料,其原材料易得、常温常下反应、设备比较简单.同时以实验为依据提出了其可能的形成机理.具体归纳如下:1.首次利用聚四氟乙烯膜模板诱导合成出ⅡB族金属硫化物半导体纳米粒子组装线.研究了纳米粒子和线的高分子膜模板法合成机理,认为它是一个"在模板诱导下的纳米晶聚集组装过程".这对纳米材料的合成与制备是一项有意义的探索和创新.2.首次用聚四氟乙烯膜模板法制备出了半导体CdS纳米管,提出了在温和条件下液相合成非氧化物、非层状纳米管的新方法.该文还对其机理进行了初步探讨,但深层次的问题尚不清楚,有待进一步研究.3.用巯基乙酸对硫化镉纳米微粒进行了修饰,通过修饰剂的挖制,合成出纳米硫化镉包覆结构和具有树枝状结构的特殊形貌.初步提出纳米树枝状结构的形成机理.4.对修饰后的硫化镉粒子的光学性质进行了研究,结果表明其具有良好的光学性能,可能在纳米光学领域有潜在的应用前景.
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