随着半导体研究水平和生产技术的迅速发展，为了提高集成度和电路的性能，晶体管的尺寸正在迅速减小。横向器件尺寸缩小，浅结构造和自对准工艺等双极性和MOS新工艺，都导致了在半导体器件pn结附近的电场急剧增加，因此对该类现象的深入研究和正确描述是非常必要和重要的。同时为了能够更好地进行器件模拟研究，对模拟模型的修正也是非常迫切和关键的。 目前的研究基本上基于电子空穴产生复合机制上，结合能带之间隧穿效应，陷阱辅助隧穿效应，SRH复合和雪崩击穿效应，对载流子产生载复合率模型进行修正。 本文新引入Poole-Frenkel效应，将电场和电子势阱之间的关系进行了联系。由此对少子产生复合率模型进行理论修正。修正后的新模型能够运用于器件模拟软件中。在不同的温度条件下，运用新模型进行了二极管器件的基本特性模拟，模拟结果能够很好地满足理论预见，基本达到研究的目的，同时对半导体器件模拟研究做出了推动。