透明导电氧化物（TCO）薄膜因其较低的电阻率和在可见光范围内的高透过率,在太阳能电池、平板显示器、透明电极、气体传感器等光电薄膜器件中有着广泛的应用。TCO薄膜的光电性质决定了这些设备的效率和性能。目前应用最为广泛透明导电氧化物是铟锡氧化物（ITO）薄膜,其具有良好的电学和光学特性,受到科研机构和企业的喜爱。然而ITO中的铟元素属于稀缺资源且具有毒性,所以ITO薄膜制备的成本较高,这严重的限制了它的广泛应用。人们寻找更便宜的新型透明导电材料来替代ITO薄膜。ZnO是直接带隙宽禁带氧化物半导体,资源丰富且成本较低。室温下ZnO的禁带宽度为3.37eV,在可见光范围内具有较高透过率,在太阳能电池和平板显示器等领域有潜在的应用。然而纯的ZnO具有较高的电阻率和光学透过率,高的电阻率影响了其实际的应用。ZnO中掺入Al、Ga、Si等元素,在电学特性上已接近ITO材料,但是这些掺杂材料在不同环境中的化学稳定性和热稳定性较差,以及掺杂技术中存在的掺杂浓度不均匀、对光的选择透过性不易控制等缺点严重影响了材料的大范围应用。本论文以D/M/D结构的透明导电薄膜为研究对象,通过电子束蒸发法成功制备了三明治结构的TiO₂/Cu/TiO₂和ZnO/Mo/ZnO透明导电薄膜。研究了金属夹层厚度、退火温度对复合薄膜的结构、表面形貌、电学及光学性能的影响。为透明导电薄膜的光电特性的提高提供了依据。我们通过对实验参数的优化,成功制备出了具有良好的综合光电性能的复合透明导电薄膜。主要的研究内容和结果如下:1)在室温下,利用电子束蒸发法成功制备了三明治结构的TiO₂/Cu/TiO₂透明导电薄膜。研究了金属层Cu的厚度对TiO₂/Cu/TiO₂复合薄膜的结构、表面形貌、电学和光学性能的影响。研究表明,随着夹层Cu膜厚度的增加,TiO₂/Cu/TiO₂复合薄膜的电阻率逐渐降低,光学透过率先升高后降低。当Cu膜的厚度为11nm时,TiO₂/Cu/TiO₂复合薄膜具有最佳的综合性能,电阻率为7.4×10-5W×cm,400⁸00nm的平均透光率达到86%。2)对Cu层厚度为11nm的TiO₂/Cu/TiO₂复合导电薄膜进行退火处理,研究了退火温度对薄膜形貌、结构以及光电性能的影响。研究表明,随着退火温度的增加,薄膜的结晶程度提高,晶粒尺寸增大,粗糙度增加,薄膜的电阻率先降低后升高,光学透过率先升高后降低。在150℃的温度退火后,TiO₂/Cu/TiO₂复合薄膜具有最佳的光电综合性能,在400⁸00nm波段平均透过率约为88%,最低电阻率达到5.9×10-5W×cm,表面电阻为和11.6?/sq。3)利用电子束蒸发系统成功制备ZnO/Mo/ZnO复合透明导电薄膜。通过对复合薄膜于150℃、250℃、350℃和450℃下进行退火处理,研究了退火温度对薄膜表面形貌、结构以及光电性能的影响。研究表明,随着退火温度的增加,薄膜的结晶程度提高,晶粒尺寸增大,薄膜的电阻率先降低后升高,光学透过率先升高后降低。在250℃的温度退火后,ZnO/Mo/ZnO复合薄膜具有最佳的光电综合性能,在400⁸00nm波段平均透过率约为81.4%,平均透过率高于80%,最低电阻率和表面电阻达到1.71×10-4W×cm和15.5?/sq。