基于半导体掺杂纳米结构能有效地改变半导体材料的电学、光学和磁学特性，近年来在制备与性能表征等方面的研究越来越被关注，其应用价值也初步显现。本论文旨在不同的温度、载气流速、基片位置等条件下制备CdS及其掺杂纳米结构，并对其进行结构和光学性能的表征，并对其生长机理进行了初步的探讨，研究的内容及取得的主要结果如下：　　 1.从多组实验结果来看，在实验条件：反应温度900℃，反应时间30分钟，载气流速300sccm和反应温度900℃，反应时间30分钟，载气流速400sccm状态下，生成的CdS纳米带形貌均一，成分纯净，而且随着基底位置离原料越来越远，纳米带的宽度越来越细，越趋于生成纳米线。因此，通过多组实验我们可以推断反应温度900℃，反应时间30分钟，载气流速300-400sccm的条件，是该实验体系的最佳反应条件。　　 2.通过改变载流气流速和基片位置，获得了CdS/Cr(Sn)异质结构和掺杂结构，并对其结构和性能进行表征。　　 CdS和Cr粉末的体系中，在350sccm载流气流速下，获得了CdS/Cr絮状纳米线异质结构，而在相对较慢的载流气流速和较长的反应时间下，获得了CdS/Cr锯齿状纳米棒掺杂结构。XRD表征结合选区电子衍射(SEAD)表明CdS/Cr絮状纳米线结构为六方晶型的CdS结构和多晶Cr({110}，{200})结构组成的异质结构，对其进行的PL性能测试显示：在46.nm，51.nm和71.nm处有三个发射峰，分别对应表面Cr颗粒引起的光发射，CdS的本征发射峰以及由于CdS表面的缺陷所引起的发射峰；而CdS/Cr锯齿状纳米棒结构为六方晶型CdS结构，因Cr元素的掺杂，晶型参数有稍微的偏移，其禁带发射波长也有稍微的蓝移现象。　　 另外在CdS和Sn粉术的体系中，在300sccm载流气流速下，获得了CdS/Sn齿状纳米棒异质结构，而在较长的反应时间条件下，获得了CdS/Sn齿状纳米棒掺杂结构。XRD表征表明CdS/Sn齿状纳米棒异质结构为六方晶型的CdS结构和SnAu结构组成的异质结构；CdS/Sn齿状纳米棒掺杂结构也为六方晶型CdS结构，因Sn元素的掺杂，晶型参数有稍微的偏移，另外对其进行的TEM表征也表明该纳米棒结构的主体也为CdS结构，齿状部分存在Sn的掺杂。　　 3.对结构生长进行的机理初步探讨研究表明：絮状纳米线结构的生长为VLS生长机制作用下的生长，而纳米棒结构的生长为VLS和VS生长机制共同作用下的生长。