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近年来有机场效应晶体管（OFETs）因其具有成本低廉、适于低温加工制备、成膜工艺简单、适宜于柔性衬底兼容和大面积、大尺寸制造等明显的优势而受到极大的关注。其中，溶液化有机场效应晶体管由于可以通过旋涂、打印制造等工艺技术获得大面积低成本薄膜，在柔性电子器件、全有机发光显示驱动电路、识别卡、大面积传感器阵列、互补逻辑电路等领域显示出巨大的应用潜力，而成为研究热点。本文首先简单综述了近些年OFETs不同的发展阶段及发展趋势，并进一步详细介绍了溶液化OFETs的研究进展、存在问题、材料、制备方法等。针对目前溶液化OFETs的发展趋势，本文选取了以聚3-己基噻吩（P3HT）为有源层，不同聚合物材料作为绝缘层制备OFETs，并研究了绝缘层对器件性能的影响。具体的研究内容如下：（1）制备了基于聚乙烯醇（PVA）绝缘层的P3HT-OFETs，器件展示了典型的P-沟道传输特性。研究了PVA绝缘层浓度对器件性能的影响，通过对比不同浓度PVA为绝缘层的器件性能比较，得到8wt%浓度PVA溶液制备的器件呈现最优化的性能的结果。同时更详尽的讨论绝缘层浓度对器件性能影响的原因。结果表明PVA作为一种可广泛应用于低成本、大面积的绝缘层材料是非常有希望的。（2）制备了以不同浓度P3HT为有源层，PVA为绝缘层的器件。结果表明，在PVA浓度不变的条件下，P3HT的浓度对OFETs器件的性能产生显著地影响，3mg/ml浓度P3HT溶液制备的器件展示了最优化的性能。讨论了有源层浓度对器件性能影响的原因。进一步讨论了在PVA为最佳浓度时P3HT的最佳浓度，产生最佳的正交条件。该结果为后续进一步优化器件性能奠定了基础。（3）制备了基于PVA与聚苯乙烯(PS)双绝缘层的P3HT-OFETs。器件采用ITO玻璃为衬底，PVA与PS分别为上下绝缘层材料、3mg/ml浓度的P3HT作为有源层材料，MoO3修饰Al作为源、漏电极。分别研究了PVA为第一绝缘层，PS为第二绝缘层和单独PVA作为绝缘层两种结构器件性能的改变，结果证明PVA为第一绝缘层，PS为第二绝缘层构型的器件展现了优异的P型OFETs特性。该结果为制备溶液化有机场效应晶体管提供了有益的工艺技术参数。