【摘 要】
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本文首先简要介绍了当前硅基发光材料的发展概况，研究了硅基发光材料常见的几种光致发光理论模型。在比较综合硅基发光材料常见制备方法优缺点的基础上，用直流辉光溅射法结合真空镀膜法制备出C（膜）/Si（SiO_2）（纳米微粒）/C（膜）夹层膜。本文详细解释了夹层膜的制备方法和加热退火处理过程。用透射电子显微镜（TEM），扫描电子显微镜（SEM）观察样品的形态结构；用X-射线衍射仪（XRD）对样品进行...
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本文首先简要介绍了当前硅基发光材料的发展概况，研究了硅基发光材料常见的几种光致发光理论模型。在比较综合硅基发光材料常见制备方法优缺点的基础上，用直流辉光溅射法结合真空镀膜法制备出C（膜）/Si（SiO_2）（纳米微粒）/C（膜）夹层膜。本文详细解释了夹层膜的制备方法和加热退火处理过程。用透射电子显微镜（TEM），扫描电子显微镜（SEM）观察样品的形态结构；用X-射线衍射仪（XRD）对样品进行
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