二维层状过渡金属硫族化物（TMDs）,例如WSe₂、WS₂和Mo S₂具有优异的电学与光电特性,因此在电子和光电子学中有着广泛的应用,引起了越来越多研究者的兴趣。在这些层状半导体中,Mo S₂由于具有?1.9 e V的直接带隙,高电子迁移率和电流开关比而备受关注。本文首先是基于开尔文探针力显微镜（KPFM）对1-6层的Mo S₂纳米片分别在无关与有光的环境下做了接触电势差（CPD）的表征,然后对CPD的变化的物理机制进行了详细讨论;最后基于导电原子力显微镜（C-AFM）对Mo S₂纳米片,在不同加载电压与不同的时间间隔下对其形貌、电学及光电性能进行表征,同时对电场下形貌与电学性能的变化做了详细的机理解释。本文主要包括以下几个方面:1. 二维层状过渡金属硫族化物的发展,尤其是对Mo S₂纳米片的基本特性做了重点介绍,之后阐述了二维材料在光、电场下的电学性能研究现状以及应用。2. 对本实验使用的Mo S₂纳米片样品制备方法做了详细介绍,之后对纳米片做了结构与形貌表征所使用的仪器进行说明,再使用KPFM与C-AFM技术对纳米片分别做了表面电势和电信号测试,最后研究了Mo S₂纳米片在不同加载电压和作用时间下的形貌变化,同时使用有限元模拟与修正的热氧化模型对电氧化的形貌变化进行机理讨论。3. 通过C-AFM技术搭建原子沟道长度的Mo S₂原理器件。在0.5 V电压下随着加载时间的增加Mo S₂-Mo O₃异质结构厚度的增加,电流急剧下降。根据隧穿电流（FNT）模型,势垒高度下降了0.39 e V。另一方面,密度泛函理论（DFT）模拟的势垒高度差为0.3 e V,与实验结果接近。4. 使用化学气相沉积（CVD）法制备1-6层的Mo S₂纳米片,通过AFM形貌表征和拉曼拉曼主峰的峰值距离确定层数。采用KPFM技术分别对1-6层的Mo S₂纳米片在无光和光照下进行测试CPD,得到CPD随Mo S₂层数增大逐渐减小。奇数层Mo S₂纳米片在有光下的CPD比无光条件下的值增大,而偶数层的CPD比无光条件下的值降低,结合压电与光伏理论进行了机理解释。