NAND闪存作为一种新型的存储技术,近年来得到了快速的发展,凭借其体积小、存储密度高、读写速度快等优势成为了主流存储方案之一。NAND闪存的可靠性和使用寿命始终是限制其发展的主要障碍。为了进一步提到存储容量,降低生产成本,NAND闪存制造商通过制造工艺的提高和结构设计的进步,单元存储量由早期SLC、MLC发展为TLC、QLC,闪存结构由2D转变为3D。在NAND闪存设计制作发展的同时,闪存特征尺寸的减小导致了沟道氧化层不断变薄,使闪存单元可承受的编程擦除次数减少,导致闪存芯片的使用寿命降低,使NAND闪存的可靠性面临更严峻的考验。因此,分析研究NAND闪存内的错误机制对提高NAND闪存的可靠性很有必要,也具有重要的意义。针对这一问题,本文首先研究了NAND闪存中存在的主要错误类型,分析了国内外针对闪存错误和可靠性的研究现状。为了获取NAND闪存芯片原始错误数据,设计了一个闪存测试平台,并对测试平台的闪存控制器、上位机控制程序和固件设计进行了详细说明,通过该平台可以实现一系列的数据干扰、数据保留等测试,利用该测试平台研究3D NAND闪存的各类错误。通过测试平台采集NAND闪存错误数据,分析闪存错误比特数随P/E（Program and Erase,编程和擦除）周期和数据保留时间的变化特征,同时分析P/E次数对数据保持错误的影响。最后,在平面NAND闪存中编程干扰错误和读干扰错误表现特征研究的基础上,结合3D NAND闪存结构的特性,设计实验分析这两种闪存错误在3D NAND闪存中的特征。通过测试实验验证了数据保持错误的两种错误来源,NAND闪存的原始错误比特数随P/E周期数和数据保留时间增加,在经过大量P/E周期后,闪存数据保持性能降低,错误数增长更快。同时在保持测试中发现闪存错误的位置相关性,不同数据页的错误数存在明显差异。编程干扰错误和读错误都表现出了与编程值的相关性,阈值电压较低的单元更容易受编程干扰和读干扰的影响。